[发明专利]光驱动SiC/GaN基半导体器件及其制作工艺在审
| 申请号： | 201711239512.3 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108039363A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 徐开凯;钱津超;赵建明;于奇;刘继芝;夏建新;周伟 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/739 |
| 代理公司： | 石家庄科诚专利事务所(普通合伙) 13113 | 代理人： | 张红卫;贺寿元 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光驱动SiC/GaN基半导体器件，它取消了传统BJT结构中的基极电极，利用紫外线穿过透明电极和薄发射区进入基区引入光激发产生电子和空穴对，为BJT的基极提供基极电流；同时采用圆角四棱台器件结构，提高了器件的耐压值。本发明还公开了制作上述光驱动SiC/GaN基半导体器件的工艺。本发明在兼具传统BJT优点的同时，提高了器件的光注入电流增益、击穿电压、EMI抗扰度、开关切换速度和稳定性，降低了驱动损耗和响应时间，降低了制造成本。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件领域。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 sic gan 半导体器件 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种光驱动SiC/GaN基半导体器件，它包括自上而下依次设置的发射极结构、P型基区（7）、带有n-型集电区（4）的集电极结构、n+型衬底结构，其特征在于：所述发射极结构包括自上而下依次设置的梳状的金属多层电极（1）、透明电极（2）和n+型发射区（8）；所述梳状的金属多层电极（1）位于透明电极（2）的表面并与该表面直接接触，透明电极（2）与n+型发射区（8）形成欧姆接触；所述P型基区（7）不含基极电极；所述n+型衬底结构包括自上而下设置的n+型衬底（5）和金属电极（6）。
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