[发明专利]LED外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201310274853.X | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103346226A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张宇;赖穆人 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED外延结构及其生长方法。该外延结构包括：GaN缓冲层，设置在蓝宝石衬底上；N型GaN层，掺杂有Si和Al并设置在GaN缓冲层上；量子阱层，设置在N型GaN层上；P型GaN层，设置在量子阱层上。上述N型GaN层包括：第一N型GaN层，设置在GaN缓冲层上；第二N型GaN层，设置在第一N型GaN层上；第三N型GaN层，设置在第二N型GaN层上。上述N型GaN层包括交替设置的Si-Al-GaN层和Si-GaN层。本发明提供的LED外延结构生长方法利用交替式掺杂Si和Al的方式生长N型GaN层，获得Si-Al-GaN/Si-GaN层的周期性结构。采用本发明提供的LED外延结构的生长方法所制作LED的驱动电压得到降低，亮度和光效得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：GaN缓冲层，设置在蓝宝石衬底上；N型GaN层，掺杂有Si和Al并设置在所述GaN缓冲层上；量子阱层，设置在所述N型GaN层上；以及P型GaN层上，设置在所述量子阱层上。
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- 2015-07-01 - 2019-08-02 - H01L33/14
- 公开了一种发光装置。该发光装置包括：第一导电型半导体层；台面，包括活性层和第二导电型半导体层；电流阻挡层；透明电极，至少部分地覆盖电流阻挡层；第一电极，包括第一电极垫和第一电极延伸部；第二电极，包括第二电极垫和第二电极延伸部；以及绝缘层，部分地位于第一电极的下方部分上，其中，台面包括形成在该台面的侧部上的至少一个沟槽，第一导电型半导体层通过沟槽部分地露出，绝缘层包括开口，所露出的第一导电型半导体层通过该开口至少部分地露出，第一电极延伸部包括一个或多个延伸部接触部分，这些延伸部接触部分通过开口与第一导电型半导体层相接触，且第二电极延伸部包括端部，端部具有的宽度不同于第二电极延伸部的平均宽度。
- 电流阻挡层及发光二极管芯片的制作方法-201710326592.X
- 兰叶;顾小云;徐瑾;吴志浩;杨春艳;王江波 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2017-05-10 - 2019-08-02 - H01L33/14
- 本发明公开了一种电流阻挡层及发光二极管芯片的制作方法，属于半导体技术领域。包括：提供一设有外延层的衬底；在P型半导体层和N型半导体层上铺设电流阻挡层材料；在电流阻挡层材料上形成负性光刻胶；对设定区域的负性光刻胶进行遮挡，并对没有被遮挡的负性光刻胶进行曝光；去除负性光刻胶中没有被曝光的部分；去除没有负性光刻胶遮挡的电流阻挡层材料；对负性光刻胶进行烘烤，使得负性光刻胶的侧面搭在电流阻挡层材料的侧面上形成空腔；将衬底浸泡在腐蚀液中，使得腐蚀液从空腔的缝隙进入空腔对电流阻挡层材料进行腐蚀，形成电流阻挡层，电流阻挡层的侧面和底面之间的夹角腐蚀成锐角；去除负性光刻胶。本发明可降低电压和提高抗静电能力。
- 一种氮化镓基发光二极管外延片-201821991191.2
- 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2018-11-29 - 2019-08-02 - H01L33/14
- 本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述电子阻挡层包括第一子层以及插入在所述第一子层中的至少一个第二子层，所述第一子层为P型掺杂的AlGaN层，所述第二子层为GeN层。本实用新型通过在P型掺杂的AlGaN层中插入至少一个GeN层形成电子阻挡层，GeN与GaN的晶格不同但晶格匹配度较好，可以降低电子阻挡层中的应力和缺陷，改善空穴在电子阻挡层中的平面扩展能力，提高空穴的注入效率。
- 深紫外LED-201910278211.4
- 华斌;何伟 - 苏州汉骅半导体有限公司
- 2019-04-09 - 2019-07-30 - H01L33/14
- 本申请涉及一种深紫外LED，包括：衬底，位于所述衬底上的n型半导体层；依次位于所述n型半导体层上的量子阱层和p型半导体层；以及位于所述n型半导体层上的N电极和位于所述p型半导体层上的P电极；其中，所述n型半导体层包括埋在所述n型半导体层中的图案化介质层。本申请所提出的深紫外LED通过设置图案化介质层增大n型半导体层的横向电阻，即可以改善量子阱层发光的均匀性又可以增大出光面积。
- 量子点发光二极管及其制备方法-201810161832.X
- 王允军;王红琴;陈寰宇;方龙 - 苏州星烁纳米科技有限公司
- 2018-02-27 - 2019-07-26 - H01L33/14
- 本申请提供一种量子点发光二极管，包括：量子点发光层；和叠置在所述量子点发光层上的载流子传输层组；所述载流子传输层组包括与所述量子点发光层接触的第一功能层；与所述第一功能层接触的第二功能层；所述第一功能层为亲油性；所述第二功能层为两亲性。本申请中通过在第二功能层中加入两亲性聚合物，可以有效增加第二功能层与亲油性的第一功能层之间的相容性，使得第二功能层更加均匀、平整。
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