[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710183215.5 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN107230702B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 王朝勋;王宪程;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/66;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在包括栅极结构的衬底上方形成第一介电层；在第一介电层中形成第一沟槽；沿着第一沟槽的侧壁形成介电间隔件；去除介电间隔件的一部分以暴露侧壁的一部分；在介电间隔件的另一部分上方并沿着第一沟槽的侧壁的暴露部分于第一沟槽中形成第一金属部件；在第一金属部件和栅极结构上方形成第二介电层；以及在同一蚀刻工艺中，形成穿过第二介电层以暴露第一金属部件的一部分的第二沟槽和穿过第二介电层和第一介电层以暴露栅极结构的一部分的第三沟槽。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在包括栅极结构的衬底上方形成第一介电层；在所述第一介电层中形成第一沟槽；沿着所述第一沟槽的侧壁形成介电间隔件，所述第一沟槽的侧壁由所述第一介电层限定；去除所述介电间隔件的一部分以暴露由所述第一介电层限定的第一沟槽的侧壁的一部分，其中，在去除所述介电间隔件的一部分后，所述介电间隔件的另一部分仍设置在所述第一沟槽内；在所述介电间隔件的另一部分上方并沿着所述第一沟槽的侧壁的暴露部分于所述第一沟槽中形成第一金属部件；在所述第一金属部件和所述栅极结构上方形成第二介电层；以及形成穿过所述第二介电层的第二沟槽以暴露所述第一金属部件的一部分，并形成穿过所述第二介电层和所述第一介电层的第三沟槽以暴露所述栅极结构的一部分，其中，所述第二沟槽和所述第三沟槽在同一蚀刻工艺中形成。
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