[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710173047.1 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN107230701B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 简昭欣;刘继文;周承翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括包含在第一方向上延伸且从衬底层突出的鳍结构的Fin FET器件。鳍结构包括在衬底层上形成的块状应力源层和在块状应力源层上方设置的沟道层。在衬底层上形成远离沟道层延伸的氧化物层。源极‑漏极(SD)应力源结构设置在所述氧化物层上方、所述沟道层的侧壁上。包括栅电极层和栅极介电层的栅极堆叠件覆盖沟道层的部分以及在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。本发明涉及半导体集成电路，且更具体地涉及具有全环式接触件结构的半导体器件及其制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：形成鳍结构，所述鳍结构包括第一半导体层、中间半导体层和第二半导体层；形成隔离绝缘层，从而使得所述鳍结构的所述第二半导体层从所述隔离绝缘层突出以形成暴露的鳍部分；在所述暴露的鳍部分的第一部分上方形成栅极结构；去除所述暴露的鳍部分的第二部分，所述第二部分包括所述暴露的鳍部分的未被所述栅极结构覆盖的部分以及嵌入部分，所述嵌入部分包括所述中间半导体层的部分和所述第一半导体层，其中，所述嵌入部分包括嵌入在所述隔离绝缘层中在第一方向上延伸的第一嵌入部分和位于所述栅极结构下方在第二方向上延伸的第二嵌入部分，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；在去除所述暴露的鳍部分的所述第一部分之后暴露的第一表面和第二表面上方形成氧化物层，所述第一表面和所述第二表面在所述第一方向和所述第二方向上延伸；横向去除所述氧化物层的在所述第二方向上延伸的部分；以及在所述氧化物层的所述横向去除的部分中形成外延层。
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