[发明专利]氧化物材料及半导体器件有效
| 申请号： | 201710165341.8 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106960866B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;中岛基;本田达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/26;H01L29/786;C01G19/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;陈岚 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 目的在于提供一种适用于被包括于晶体管或二极管等中的半导体的材料。另一个目的在于提供一种包括晶体管的半导体器件，其中介于氧化物半导体膜及与该氧化物半导体膜接触的栅极绝缘膜之间的界面处的电子态状况良好。再者，另一个目的在于通过对将氧化物半导体膜用于沟道的晶体管提供稳定电特性，制造高可靠性的半导体器件。半导体器件使用包括c‑轴取向的晶体的氧化物材料形成，当从表面或界面方向看时该晶体具有三角形或六角形原子排列，并绕着c‑轴旋转。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 材料 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种氧化物材料，包括c‑轴取向的多个晶体，其中，所述多个晶体各自包含排列成从垂直于a‑b平面的方向看时具有三角形或六角形形状的原子，并且，在所述a‑b平面中，所述多个晶体的第一晶体的a‑轴方向及b‑轴方向之一与所述多个晶体的第二晶体的a‑轴方向及b‑轴方向之一不同。
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