[发明专利]一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法

摘要

本申请公开一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法，其中，所述沟槽版图结构包括：沟槽开口，沟槽开口包括字线台阶区沟槽开口和阵列区沟槽开口；位于相邻两条沟槽开口之间的沟槽孔开口；其中，字线台阶区沟槽开口与阵列区沟槽开口相接，沿垂直于沟槽开口长度延伸方向上，字线台阶区沟槽开口的宽度大于阵列区沟槽开口的宽度。由于将字线台阶区沟槽开口的宽度进行增大处理，使得字线台阶沟槽底部的尺寸增加，在沉积金属过程中，字线台阶区的金属堆积厚度，相对于未增加宽度的字线台阶区沟槽底部金属堆积厚度较薄，从而在后续从沟槽中分离金属的步骤中，使得金属能够有效分离，从而避免了金属栅和金属栅之间的漏电。

主权项

1.一种沟槽版图结构，其特征在于，包括：沟槽开口，所述沟槽开口包括字线台阶区沟槽开口和阵列区沟槽开口；位于相邻两条所述沟槽开口之间的沟槽孔开口；其中，所述字线台阶区沟槽开口与所述阵列区沟槽开口相接，沿垂直于所述沟槽开口长度延伸方向上，所述字线台阶区沟槽开口的宽度大于所述阵列区沟槽开口的宽度。