[发明专利]一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法

说明书

本申请公开一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法，其中，所述沟槽版图结构包括：沟槽开口，沟槽开口包括字线台阶区沟槽开口和阵列区沟槽开口；位于相邻两条沟槽开口之间的沟槽孔开口；其中，字线台阶区沟槽开口与阵列区沟槽开口相接，沿垂直于沟槽开口长度延伸方向上，字线台阶区沟槽开口的宽度大于阵列区沟槽开口的宽度。由于将字线台阶区沟槽开口的宽度进行增大处理，使得字线台阶沟槽底部的尺寸增加，在沉积金属过程中，字线台阶区的金属堆积厚度，相对于未增加宽度的字线台阶区沟槽底部金属堆积厚度较薄，从而在后续从沟槽中分离金属的步骤中，使得金属能够有效分离，从而避免了金属栅和金属栅之间的漏电。

技术领域

本发明涉及半导体制作技术领域，尤其涉及一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，半导体器件的集成程度越来越高，为了提高半导体器件的封装密度，半导体器件已经逐步从简单的平面结构过渡到较为复杂的三维结构，尤其是目前三维存储器的技术研发已经成为国际上研发的一个主流。

现有技术中三维结构存储器的结构通常采用后栅工艺实现，即先沉积氮化硅作为假栅，假栅之间以氧化硅来隔离，在形成沟道孔之后，再进行沟槽刻蚀，随后去除假栅，在沟槽内填充金属，形成金属栅，再采用刻蚀的方法将金属栅从沟槽中分离。

三维结构存储器包括字线台阶区沟槽和阵列区沟槽，在深槽刻蚀时，两者形貌差别较大：字线台阶区沟槽较为倾斜，阵列区沟槽较为垂直；使得在字线台阶区沟槽内填充金属，形成金属栅后，再刻蚀将金属栅从字线台阶区沟槽分离时，存在金属栅残留，从而造成金属栅与金属栅之间的漏电。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法，以解决现有技术中将字线台阶区沟槽的金属栅分离时，存在字线台阶区金属栅残留，造成的金属栅与金属栅之间漏电的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种沟槽版图结构，包括：

沟槽开口，所述沟槽开口包括字线台阶区沟槽开口和阵列区沟槽开口；

位于相邻两条所述沟槽开口之间的沟槽孔开口；

其中，所述字线台阶区沟槽开口与所述阵列区沟槽开口相接，沿垂直于所述沟槽开口长度延伸方向上，所述字线台阶区沟槽开口的宽度大于所述阵列区沟槽开口的宽度。

优选地，所述字线台阶区沟槽开口的宽度均匀。

优选地，所述字线台阶区沟槽开口的宽度沿远离所述阵列区沟槽开口的方向逐渐增大。

优选地，所述字线台阶区沟槽开口远离所述阵列区沟槽开口的侧边为圆心朝向所述阵列区沟槽开口的弧形。

优选地，在沿所述沟槽长度延伸方向上，所述字线台阶区沟槽开口远离所述阵列区沟槽开口的侧边的最外缘位于所述沟槽孔开口远离所述阵列区沟槽开口的最外缘背离所述阵列区沟槽开口的一侧。

优选地，在沿所述沟槽长度延伸方向上，所述字线台阶区沟槽开口远离所述阵列区沟槽开口的侧边的最外缘与所述沟槽孔开口远离所述阵列区沟槽开口的最外缘之间的距离为0.5μm-2μm，包括端点值。

优选地，所述字线台阶区沟槽开口的宽度比所述阵列区沟槽开口的宽度大10nm-50nm，包括端点值。

本发明还提供一种半导体器件，采用上面任意一项所述的沟槽版图结构制作形成，所述半导体器件包括：

衬底；

位于所述衬底内的沟槽，所述沟槽包括字线台阶区沟槽和阵列区沟槽；

以及位于所述衬底内，且位于相邻沟槽之间的沟槽孔；