[发明专利]半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法有效
| 申请号： | 201710102855.9 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN107134438B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | S.金努萨米;K.辛普森;M.C.科斯特罗 | 申请（专利权）人： | 商升特公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法。一种半导体器件具有半导体晶片，该半导体晶片包括在该半导体晶片的第一表面上方形成的多个接触焊盘和多个半导体管芯。部分地穿过半导体晶片的第一表面形成沟槽。将绝缘材料设置在半导体晶片的第一表面上方和到沟槽中。在接触焊盘上方形成导电层。该导电层可以被印刷成在相邻的接触焊盘之间的沟槽中的绝缘材料上方延伸。将半导体晶片的与半导体晶片的第一表面相对的一部分移除，到沟槽中的绝缘材料。在半导体晶片的第二表面和半导体晶片的侧表面上方形成绝缘层。穿过第一沟槽中的绝缘材料而单体化半导体晶片，以分离半导体管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 管芯 周围 形成 绝缘 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括在所述半导体晶片的第一表面上方形成的多个接触焊盘和多个半导体管芯；部分地穿过所述半导体晶片的所述第一表面形成第一沟槽；将绝缘材料设置在所述半导体晶片的所述第一表面上方和到所述第一沟槽中，同时使所述接触焊盘从所述绝缘材料中暴露，其中所述接触焊盘在设置所述绝缘材料之前包括平的上表面和平的下表面；在所述绝缘材料中形成第二沟槽并且延伸到所述第一沟槽中，同时所述半导体晶片保持在所述第一沟槽和第二沟槽下方延伸；形成从第一接触焊盘延伸到第二接触焊盘并且延伸到所述第一接触焊盘和第二接触焊盘之间的第二沟槽中的导电层；在形成所述导电层之后移除所述半导体晶片的、与所述半导体晶片的所述第一表面相对的一部分，以在所述半导体晶片的第二表面处暴露所述第一沟槽中的绝缘材料，其中所述绝缘材料保持完全跨过第二沟槽地在所述导电层上方延伸；在所述半导体晶片的第二表面和侧表面上方形成绝缘层；以及穿过所述第一沟槽中的绝缘材料和所述第二沟槽中的导电层而单体化所述半导体晶片，以分离所述半导体管芯。
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