[发明专利]二次电池以及二次电池的制造方法在审
| 申请号： | 201680052124.1 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN108028317A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 斋藤友和;佐藤祐树 | 申请（专利权）人： | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;H01M2/20;H01M10/04 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实施方式所涉及的二次电池的制造方法是具有并联连接的多个单位电池(21)的二次电池的制造方法，该制造方法具有：准备具有第一电极层(1)、金属氧化物半导体层(2)、充电层(3)以及第二电极层(5)层叠而成的结构的片状的单位电池(21)的工序；将层叠的多个单位电池(21)并联连接，来形成电池片(30)的工序；测定电池片(30)的容量的工序；以及在容量小于标准值的情况下，将调整容量用的单位电池(21a)与电池片(30)并联连接的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二次电池的制造方法，该二次电池具有并联连接的多个单位电池，该制造方法具有：准备具有第一电极层、金属氧化物半导体层、充电层以及第二电极层层叠而成的结构的片状的单位电池的工序；将多个所述单位电池进行层叠并将多个所述单位电池并联连接，来形成电池片的工序；测定所述电池片的容量的工序；以及在所述容量小于标准值的情况下，将调整容量用的单位电池与所述电池片并联连接的工序。
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- 王磊;熊玉华;杜军;毛昌辉;尉秀英;杨志民;秦光荣;苑鹏 - 北京有色金属研究总院
- 2004-12-28 - 2006-07-05 - H01L49/00
- 本发明涉及一种对氢气敏感的半导体传感器敏感元件及其制作方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制作方法的特征在于：采用射频溅射工艺在Si(100)片上制备n－SnO2－x薄膜层，再在二氧化锡层上制备Pd－Ni层，形成Pd－Ni/SnO2复合膜的气敏元件。本发明制备的Pd－Ni/SnO2复合膜气敏元件，可在常温环境下，大大提高对氢气的选择性和灵敏性。本发明可以提供一种制造工艺简便，价格低廉的半导体气敏元件的制作方法。
- 薄膜气体传感器的制备方法-200410101832.9
- 刘晓娣;张大成;王玮;李婷;罗葵;田大宇 - 北京大学
- 2004-12-27 - 2006-07-05 - H01L49/00
- 本发明提供一种薄膜气体传感器的制备方法，属于气体传感器工艺技术领域。该方法包括：基片清洗和腐蚀，采用溅射和剥离方法制备铬/铂电极，得到表面平整的带有电极图形的基片；在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控技术淀积氧化锡纳米敏感薄膜，并且剥离薄膜敏感材料，使之图形化；高温退火后，划片、封装。由于在表面较平坦的基片上使用直流磁控反应溅射的方法制得氧化锡薄膜，薄膜敏感材料厚度及成分均匀可控、灵敏度高、响应快、一致性好、稳定性好。该制备加工方法对传感器自身的污染小、使用的薄膜材料较少，可降低对环境的污染、与集成电路工艺相兼容，工艺重复性好、适合于批量生产。
- 含硅共聚物电阻型薄膜湿敏元件-200520100186.4
- 杨慕杰;姚宗武;李扬;黄德欢 - 黄德欢
- 2005-01-18 - 2006-06-14 - H01L49/00
- 本实用新型公开了一种含硅共聚物电阻型薄膜湿敏元件。含硅共聚物电阻型薄膜湿敏元件具有微晶玻璃片基体，在微晶玻璃片基体表面上蒸发、光刻有多对叉指金电极，在叉指金电极上连接有引线，在微晶玻璃片基体和叉指金电极表面上涂覆有感湿膜，感湿膜为含硅阳离子聚电解质共聚物。方法的步骤如下：1)用浸涂机将微晶玻璃叉指金电极浸渍在感湿液中，提拉、取出后，热处理制得感湿膜；2)将具有感湿膜的微晶玻璃叉指金电极在一定湿度和温度下，通电老化，制得含硅共聚物电阻型薄膜湿敏元件。本实用新型是一种宽湿度量程，高灵敏度，特别有极快响应速度的电阻型湿敏元件，而且制作方法简单，成本低，可广泛应用于过程及环境湿度的精度测量与控制。
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