专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]二次电池-CN201780047913.0有效
  • 工藤拓夫;出羽晴匡;高野光;斋藤友和;殿川孝司 - 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
  • 2017-07-21 - 2022-10-21 - H01L49/00
  • 本发明的二次电池设置有:第一电极(11);第二电极(17);充电层(14),布置在第一电极(11)和第二电极(17)之间并且含有绝缘材料与第一n型氧化物半导体材料的混合物;n型氧化物半导体层(13),布置在充电层(14)与第一电极(11)之间并且含有第二n型氧化物半导体材料;p型氧化物半导体层(16),布置在充电层(14)与第二电极(17)之间并且含有p型氧化物半导体材料;混合物层(15),布置在充电层(14)与p型氧化物半导体层(16)之间并且含有氧化硅与第三n型氧化物半导体材料的混合物;和导电层(12),布置在第一电极(11)与n型氧化物半导体层(13)之间并且含有金属材料。
  • 二次电池
  • [发明专利]一种离子阱芯片的制备方法、离子阱芯片和量子计算机-CN202111090075.X有效
  • 王涛;熊康林;冯加贵;崔志远;郭丰 - 材料科学姑苏实验室
  • 2021-09-17 - 2021-12-21 - H01L49/00
  • 本发明公开了一种离子阱芯片的制备方法、离子阱芯片和量子计算机,制备方法包括:提供衬底;在衬底的一侧形成包括多层导电层和多层介质层的层叠结构;刻蚀层叠结构形成至少两个第一开口,于第一开口中形成牺牲层;于层叠结构远离衬底的一侧形成第一光刻胶层并进行图案化;图案化后的第一光刻胶层包括第二开口,第二开口暴露位于相邻两个第一开口之间待刻蚀的层叠结构;刻蚀位于相邻两个第一开口之间待刻蚀的层叠结构,形成第三开口;沿垂直于衬底的方向,第一开口的深度大于第三开口的深度;去除牺牲层以形成囚禁离子的离子阱区,使得层叠结构中不同尺寸孔对位精确,保证了芯片电磁场的分布以及囚禁离子的势阱,提高了芯片的工作性能。
  • 一种离子芯片制备方法量子计算机
  • [发明专利]基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管-CN201810064170.4有效
  • 张洪涛;张泽森 - 湖北工业大学
  • 2018-01-23 - 2021-04-27 - H01L49/00
  • 本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管,包括两个自激励单电子自旋电磁晶体管,两个自激励单电子自旋电磁晶体管共接直流栅极电压源Vg,共接源极和漏极,组成一对称的环状电路,环状电路的一端与负载电阻R、电容C、漏电压Vp连接,另一端为输出端,在栅极电压Vg超过阈值时,输出漏电流随输入的漏电压Vp呈现谐振变化,形成顺时针和逆时针循环环路电流,在输出端两个晶体管的漏极形成干涉电流。本发明证实在栅极电压的阈值超过后,基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管的源漏电压与漏电流的关系呈现干涉现象。
  • 基于激励电子自旋电磁晶体管量子干涉
  • [发明专利]蓄电装置-CN201880069521.9在审
  • 工藤拓夫;津国和之 - 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
  • 2018-04-24 - 2020-08-14 - H01L49/00
  • 本发明的目的在于提供一种蓄电装置结构,其相对于现有的蓄电装置的层叠数减少。本发明的蓄电装置将导电性电极、具有绝缘体和n型金属氧化物半导体的蓄积电荷的充电层、以及由作为固态电致变色元件的电介质层所使用的材料的氧化铱形成的氧化铱层依次层叠。由于氧化铱具有低电阻率,因此可使氧化铱层具有导电性电极的功能,省略了导电性电极而使层叠数减少。
  • 装置
  • [发明专利]制造二次电池的方法-CN201680037148.X有效
  • 斋藤友和;出羽晴匡 - 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
  • 2016-05-17 - 2020-03-10 - H01L49/00
  • 本发明提供一种用于制造二次电池的方法,二次电池具有充电层,充电层因通过在被绝缘材料覆盖的n型金属氧化物半导体上引起光激结构变化而在带隙中形成能级来捕获电子,该方法包括:涂布工序(S1),涂布涂层液,以形成包括将成为充电层(18)的成分的涂层膜;干燥工序(S2),通过干燥在涂布工序(S1)中涂布的涂层液来形成干燥涂层膜;UV照射工序(S3),通过用紫外线照射经由干燥工序(S2)获得的干燥涂层膜来形成UV照射涂层膜;以及煅烧工序(S5),在通过重复包括涂布工序(S1)、干燥工序(S2)和照射工序(S3)的组多次,形成多个UV照射涂层膜之后,煅烧所述多个UV照射涂层膜。
  • 制造二次电池方法
  • [发明专利]电池-CN201580014209.6有效
  • 小笠原树理;桧皮清康;中泽明 - 日本麦可罗尼克斯股份有限公司;刮拉技术有限公司
  • 2015-01-09 - 2019-08-16 - H01L49/00
  • 本发明可提供一种优异的电池,根据本发明的一实施例的电池包括第一电极层(6)、第二电极层(7)、以及充电元件(3),所述第一电极层与所述第二电极层之间的一充电电压作用于该充电元件,所述充电元件(3)用于通过被绝缘物质所覆盖的一N型金属氧化物半导体的一光激励结构性改变,而在一能带隙中形成一能阶,并由此捕获电子,例如,该电池具有该充电元件(3)设置于其内部的结构,该充电元件为三维形状。
  • 电池
  • [发明专利]用于分离多层结构的装置和方法-CN201380019900.4有效
  • 袁顺发;许大卫;杨秋勇 - 南洋理工大学
  • 2013-04-17 - 2017-12-05 - H01L49/00
  • 在各实施例中,可提供一种用于分离多层结构的装置,所述多层结构包括第一层、第二层和在所述第一层和所述第二层之间的脱模层。所述装置可包括附接表面,该附接表面被构造为通过附接到所述第一层来悬挂所述多层结构。所述装置可进一步包括致动机构,该致动机构被构造为通过弯曲所述附接表面而形成所述第一层的曲度。所述装置还可包括容器,以容纳用于蚀刻所述脱模层以便将所述第一层与所述第二层分离的蚀刻剂。
  • 用于分离多层结构装置方法
  • [发明专利]可反复充放电的量子电池-CN201180074544.7有效
  • 工藤拓夫;中泽明;寺门信明 - 日本麦可罗尼克斯股份有限公司;刮拉技术有限公司
  • 2011-10-30 - 2017-07-04 - H01L49/00
  • 本发明提供一种防止通过使n型金属氧化物半导体进行光激发结构变化而充电且能够低成本化及进行稳定动作的量子电池的电极的氧化,并防止历经长期经年变化而能够反复充放电的量子电池。能够反复使用的量子电池,是将具有抗氧化功能的第1金属电极12、通过使被绝缘性物质覆盖了的n型金属氧化物半导体进行光激发结构变化从而在带隙中形成能级而捕获电子的充电层14、p型金属氧化物半导体层16、以及具有抗氧化功能的第2金属电极18进行层叠而构成,电极具备抗氧化功能。金属电极12及18是为了保持抗氧化功能而由具有钝态特性的金属所构成的钝态金属层。
  • 反复放电量子电池

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