[发明专利]二次电池的制造方法在审

专利信息
申请号: 201780029956.6 申请日: 2017-04-05
公开(公告)号: CN109314183A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 津国和之;斋藤友和;佐藤祐树;高野光 申请(专利权)人: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
主分类号: H01L49/00 分类号: H01L49/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 陈彦;马铁军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够增大放电容量的二次电池的制造方法。根据本申请的二次电池的制造方法,在依次层叠了第一电极(12)、由n型金属氧化物半导体形成的n型金属氧化物半导体层(14)、由n型金属氧化物半导体与绝缘体形成的充电层(16)、以绝缘体为主要成分的中间绝缘层(18)、由p型金属氧化物半导体形成的p型金属氧化物半导体层(22)和第二电极(24)之后,依次以第一电极(12)为基准在第一电极(12)与第二电极(24)之间施加正电压的第一步骤、以第一电极(12)为基准在第一电极(12)与第二电极(24)之间施加0V的第二步骤进行反复的反复步骤作为第1单位循环,反复进行预定数量的第1单位循环。
搜索关键词: 第一电极 第二电极 二次电池 绝缘体 单位循环 制造 氧化物半导体层 施加 氧化物半导体 中间绝缘层 放电容量 依次层叠 充电层 正电压 申请
【主权项】:
1.一种氧化物半导体二次电池的制造方法,其特征在于,在将第一电极、由n型金属氧化物半导体形成的n型金属氧化物半导体层、由n型金属氧化物半导体与绝缘体形成的充电层、以绝缘体为主要成分的中间绝缘层、由p型金属氧化物半导体形成的p型金属氧化物半导体层和第二电极依次层叠后,将以所述第一电极为基准在所述第一电极与所述第二电极之间施加正电压作为第一步骤,将以所述第一电极为基准在所述第一电极与所述第二电极之间施加0V作为第二步骤,以所述第一步骤和所述第二步骤作为第1单位循环,反复进行预定数量的所述第1单位循环。
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