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[发明专利]一种铑钯双金属非晶黑色氧化铟复合材料及其制备方法和在传感器中的应用-CN202310967788.2在审
发明人：魏文婷;罗娜;徐甲强 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铑钯双金属非晶黑色氧化铟复合材料及其制备方法和在传感器中的应用，本发明提出的复合材料由铑钯双金属非晶(RhPdOx)和黑色氧化铟(B‑In2O3)两种纳米颗粒组成；其中RhPdOx纳米颗粒由液相法得到，B‑In2O3纳米颗粒由液相法和固相法得到，利用RhPdOx纳米颗粒对B‑In2O3材料修饰，通过物理混合得到两者的复合材料。本发明对NO2具有高选择性，可用于检测汽车尾气与人体呼出气中的NO2；检测限最低可达0.2ppm；并且响应值快，响应/恢复时间可达4s/8s，具有良好的应用前景。
一种双金属黑色氧化复合材料及其制备方法传感器中的应用

[发明专利]一种限域型氢气传感器制备方法-CN202111484534.2有效
发明人：胡庆敏;徐甲强;张景韬 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及气体传感器技术领域，具体地说是一种限域型氢气传感器制备方法，在CNC上沉积20‑1000个循环的ALD SnO2膜，在CNC上沉积1‑500个循环的NiO，沉积40个循环的NiO，沉积SnO2，制备SnO2外表面限域和SnO2纳米管内表面限域NiO样品，在CNC上沉积NiO，然后沉积ALD‑SnO2，再沉积NiO即可得到SnO2内外表面同时限域NiO，在400‑1200℃下用空气煅烧3小时后形成模板，去除模板接口获得材料，本发明同现有技术相比，NiO和SnO2的协同效应导致了I‑NiSnNCs的漏斗效应，实现了对氢的高传感性能。
一种限域型氢气传感器制备方法

[发明专利]一种酚醛树脂壳层包覆的M-N/C复合材料及其制备方法与应用-CN202310695978.3在审
发明人：怀愫钰;韦鹏飞;董俊萍;徐甲强;赵宏滨 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明涉及一种酚醛树脂壳层包覆的M‑N/C复合材料及其制备方法与应用，复合材料以树脂壳层作为保护层，以M‑N/C材料作为表面含有M‑氮配位活性位点的材料，形成核壳结构，所述的M为Fe、Co、Ni、Mn、Cu中的至少一种金属元素；以ZIF‑8为模板，在其表面包裹树脂碳壳层，M前驱体通过壳外浸入的方式分散在孔内，得到ZIF‑8@M/RF，经过高温焙烧酸洗后得到M‑N/C(RF)，即所述的酚醛树脂壳层包覆的M‑N/C复合材料，可作为氧还原催化剂。与现有技术相比，本发明构建了一种高活性，高稳定性的氧还原催化剂，制备方法简单易行，成本低，适合推广使用。
一种酚醛树脂壳层包覆复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高效绿色荧光Bi2-CN202310399204.6在审
发明人：安保礼;李娟蓉;徐甲强;储文欣 -专利权人：上海大学;中预蓝（上海）照明工程有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：本发明提供了一种高效绿色荧光Bi2S3量子点及其制备方法，该Bi2S3量子点的最大发射波长为502nm，可用360nm～475nm的近紫外光、紫色光或蓝色光激发，最大激发波长带位于409nm～460nm。合成的Bi2S3量子点的发射光谱具有激发波长独立性的特点，荧光绝对量子产率达到51％。该Bi2S3量子点在溶液中的分散性好，粒径分布较窄，约为4nm。合成Bi2S3量子点的荧光性能在稀溶液中稳定性较好。本发明不使用复杂的设备，合成时间较短，成本较低。Bi2S3量子点的生物相容性较好，可应用于生物分子荧光标记、生物成像和生物荧光探针等领域。
一种高效绿色荧光 bi base sub

[发明专利]基于碳量子点-核碱基衍生物的室温圆偏振磷光材料及其制备方法-CN202310445464.2在审
发明人：阎一方;冯凌燕;陈莹莹;戴彦恺;陆德成;徐甲强 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳量子点‑核碱基衍生物组装体系的室温圆偏振磷光材料及其制备方法。本发明将聚丙烯酸和交联剂一起进行水合反应制成碳量子点，利用聚丙烯酸和交联剂的有效交联作用在碳量子内部形成交联框架，从而形成有效的磷光发射中心，然后通过溶液共组装技术将碳量子点与核碱基衍生物组装成具有特定手性的碳量子点‑核碱基衍生物组装体，从而构建在室温下受激可发射左旋/右旋圆偏振磷光发光材料，具有简单高效、环境友好、光学性能优越、磷光偏振旋向可控，室温发射，寿命长等优点，具有广阔的应用前景。
基于量子碱基衍生物室温偏振磷光材料及其制备方法

[发明专利]碳量子点@有机壳层结构的荧光纳米粒子的合成方法-CN202111488851.1有效
发明人：安保礼;李菁;贾欣;徐甲强 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳量子点@有机壳层结构提高碳量子点在空气中荧光稳定性的实验方法。绿光碳量子点(GCQDs)表面含有较多的‑NH2基团，利用‑NH2具有较高的有机化学反应活性，用烯丙基溴或者对氯甲基苯乙烯等为试剂，在GCQDs粒子表面修饰含有C＝C双键的基团。然后通过自由基聚合在碳量子点表面形成有机聚合物壳层，来使碳量子点表面的缺陷能级在空气中稳定存在，使碳量子点的荧光性能在空气中保持稳定。本发明合成的壳层结构的GCQD@PCS碳量子点在空气中放置12天未发现明亮的蓝紫色荧光衰减的现象。本发明的合成方法容易在GCQD@有机壳层结构的粒子壳层上通过共聚方法键合上多羧酸功能基团，多羧酸功能基团可以螯合特异性识别磷酸化蛋白质的Ti4+等金属离子，可应用于薄层色谱等分析方法特异性识别磷酸化蛋白质分子的荧光显色试剂。
量子机壳结构荧光纳米粒子合成方法

[发明专利]一种ZIFs材料及其传感器的制备方法-CN202310356268.8在审
发明人：陈杨;毛宇欣;徐甲强;张文爽 -专利权人：上海摇橹仪器设备有限公司
申请日： 2023-03-26 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种ZIFs材料及其传感器的制备方法，包括以下步骤：S1、将含有过渡金属元素的盐溶液加入到高纯水中，形成水相；S2、取环己烷作为油相，将其倒入水相之上，形成油‑水界面；S3、配制咪唑类乙醇溶液，将其滴入环己烷，使咪唑类乙醇溶液扩散到油‑水界面；S4、静置，得到ZIFs材料。本发明制备的ZIFs材料具有大比表面积且具有丰富微孔，具有良好的气体过滤和富集能力，将该材料用于MEMS气体传感器可以提高其对肠道气体检测的能力。
一种 zifs 材料及其传感器制备方法

[发明专利]基于贵金属/NiO复合材料的气体传感器、制备方法与应用-CN202310446167.X在审
发明人：张景韬;董俊萍;徐甲强;胡庆敏 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于贵金属/NiO复合材料的气体传感器、制备方法与应用，其制备方法主要是通过还原性醇在NiO纳米薄片表面还原贵金属，制得贵金属/NiO复合材料，并将其涂覆于MEMS芯片上，利用贵金属的电子敏化作用，实现对二甲苯的高灵敏、特异性检测。与现有技术相比，本发明的制备方法简单，所使用的贵金属还原剂能温和地还原贵金属获得均匀的纳米粒子，制备得到的二甲苯MEMS气体传感器对二甲苯具有高灵敏、特异性的检测，且可以增加气体传感器长期工作状态下的稳定性，适用更广阔的应用前景。
基于贵金属 nio 复合材料气体传感器制备方法应用

[实用新型]一种基于MEMS器件的电阻型传感器测试装置-CN202222280667.4有效
发明人：王晨;徐甲强;胡庆敏;陈杨 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-08-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01D18/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于MEMS器件的电阻型传感器测试装置，包括电源适配器、测试电路稳压电源、加热电路稳压电源、数模转换板和测试仓，所述电源适配器分别与测试电路稳压电源和加热电路稳压电源连接，所述测试电路稳压电源和加热电路稳压电源均与数模转换板连接，所述数模转换板与测试仓连接。本实用新型，电源适配器输出稳定的12V电压供给两路稳压电源，测试路电压通过稳压电源稳定在10V，加热路电压通过稳压电源调节稳定的输出以为传感器提供稳定的加热电压从而使加热电阻提供稳定的环境温度；测试仓内治具上的MEMS传感器感受外部环境变化导致电阻改变被数模转换板感知，采集信号传输给电脑，完成非电信号转化为电信号的传感转换过程。
一种基于 mems 器件电阻传感器测试装置

[发明专利]一种一体化异质型MEMS硫化氢传感器气敏薄膜制备方法-CN202211392327.9在审
发明人：鲁玺龙;徐甲强;张景韬;高天歌;董喆 -专利权人：上海大学;公安部鉴定中心
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及气敏薄膜制备技术领域，具体地说是一种一体化异质型MEMS硫化氢传感器气敏薄膜制备方法，在原子层沉积ALD之前，首先对MEMS晶圆进行清洁和干燥，将MEMS转移至ALD反应器中，以二乙基锌和水为前驱体沉积ZnO薄膜，通过在ALD反应器中控制CoOx在MEMS上沉积的循环次数，以获得不同数量CoOx‑ZnO异质结构薄膜，同现有技术相比，本发明利用ALD可在原子水平上精准控制纳米颗粒大小或膜厚度以及精确调控和原位一体化结构等优势，实现高结合强度、高灵敏度和长期稳定的MEMS气敏薄膜制备，有效提高MEMS传感器的一致性，实现高通量、一致性和均匀性制备，提高MEMS硫化氢传感器的制备效率。
一种一体化异质型 mems 硫化氢传感器薄膜制备方法

[发明专利]一种负载Pd的棱状氧化锌及其制备方法和应用-CN202011006834.5有效
发明人：陈杨;徐甲强;罗娜;王晨;吴越 -专利权人：上海大学;上海摇橹仪器设备有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种负载Pd的棱状氧化锌及其制备方法和应用，在棱状氧化锌表面负载有Pd团簇或Pd‑NPs。本发明对甲烷检测限低，可以检测到1ppm的甲烷；而且对甲烷具备高选择性，可以检测肠道易激综合征、急性心肌梗塞等疾病；通过棱状氧化锌的负载提高了Pd的利用率，具有良好的应用前景。
一种负载 pd 氧化锌及其制备方法应用

[发明专利]一种一体化晶圆级硫化氢气敏薄膜及单个MEMS硫化氢气敏薄膜的制备方法-CN202211393937.0在审
发明人：胡庆敏;徐甲强;鲁玺龙;马志恒;董喆;蔡海洁;张景韬 -专利权人：上海大学;公安部鉴定中心
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及气敏薄膜制备技术领域，具体地说是一种一体化晶圆级硫化氢气敏薄膜及单个MEMS硫化氢气敏薄膜的制备方法，在原子层沉积ALD之前，首先对晶圆MEMS进行清洁和干燥，将MEMS转移至ALD反应器中，以二乙基锌和水为前驱体沉积ZnO薄膜，通过控制ALD ZnO在MEMS上沉积的循环次数，以获得不同厚度ZnO薄膜，同现有技术相比，本发明利用ALD在晶圆MEMS上原位构建一体化ZnO超薄气敏薄膜，实现高结合强度、高灵敏度和长期稳定的MEMS传感器制备，该工艺可有效提高MEMS传感器的一致性，并实现高通量、一致性和均匀性制备，提高MEMS硫化氢传感器的制备效率。
一种一体化晶圆级硫化氢气薄膜单个 mems 制备方法

[发明专利]一种提高有机-无机杂化钙钛矿衍生ABX3-CN202211375160.5在审
发明人：王晓红;徐甲强;张欣瑜 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体气敏元件技术领域，具体地说是一种提高有机‑无机杂化钙钛矿衍生ABX3/SnO2复合物甲醛气敏性能的方法，使用液相制备法结合管式炉焙烧工艺得到ABX3/SnO2复合物，通过XRD、SEM、ATR‑IR表征，研究分析材料的组成与形貌结构，并测试了材料的各项气敏性能，同现有技术相比，本发明用铜(Cu)和锡(Sn)取代了有机‑无机杂化钙钛矿材料ABX3(CH3NH3PbI3)中B位的Pb，利用铜和锡的钝化作用，活化了晶格，改善了有机‑无机杂化钙钛矿的结晶性能，并在此基础上焙烧获得其衍生物ABX3/SnO2复合物，提高了材料的气敏性能，降低了其工作温度，提高了其气敏选择性。
一种提高有机无机杂化钙钛矿衍生 abx base sub

[发明专利]一种基于MEMS器件阵列智能补偿的气体检测芯片-CN202211035954.7在审
发明人：王晨;徐甲强;罗娜;孔家伟;张景韬 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-08-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS器件阵列智能补偿的气体检测芯片，包括气体传感器、温湿度传感器一、排阻一、温湿度传感器二、排阻二和接口，所述气体传感器共设置有16个。本发明，通过接入VCC、VDD、GND使芯片正常工作，芯片将感知到的信息传输给MCU(微控制单元)或计算机，便可实现气体传感器阵列对相应气体的采集以及温湿度的采集，得到多点待测目标气体、类似气体以及两个实时温湿度的数值。
一种基于 mems 器件阵列智能补偿气体检测芯片

[发明专利]半导体气体传感器及其制备方法、铁电气敏材料及其制备方法-CN202111185099.3在审
发明人：程晋荣;李晓洁;徐甲强;张林通 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供了一种铁电气敏材料的制备方法，包括以下步骤：将铁酸铋材料置于电晕极化装置中进行电晕极化处理，所述电晕极化处理的处理电压控制在0.1～10kV，极化时间在1～30min，得到电晕极化处理的铁酸铋铁电气敏材料。本发明首次采用电晕极化处理铁酸铋制得铁电气敏材料并制成气体传感器，将该气体传感器应用于痕量硫化氢的检测，选择性好，响应值高，响应恢复时间短。
半导体气体传感器及其制备方法电气材料

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