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[发明专利]电池单体、电池、用电装置、制备电池单体的方法和装置-CN202180091673.0在审
发明人：潘峰;倪军;温裕乾;张盛武;唐鸣浩;熊康林 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01M50/636 文献下载
摘要：一种电池单体、电池、用电装置、制备电池单体的方法和装置。电池单体(20)包括：第一壁(21)，第一壁(21)上设置有注液孔(24)，环绕注液孔(24)设置有圆环形的第一凹槽(26)，第一凹槽(26)的开口朝向电池单体(20)的外部；密封件(25)，密封件(25)包括底壁(252)和侧壁(251)，底壁(252)盖合注液孔(24)的背离电池单体(20)内部的一端，侧壁(251)至少部分容纳于第一凹槽(26)内，侧壁(251)为环形结构，且密封件(25)的侧壁(251)与第一凹槽(26)的底壁摩擦焊接，以密封注液孔(24)。通过在第一壁上设置环绕注液孔的第一凹槽，密封件在第一凹槽内进行摩擦焊接，不易形成焊接缺陷，保证电池单体中注液孔的密封性能。
电池单体用电装置制备方法

[发明专利]一种用于低温环境下的磁屏蔽装置及屏蔽方法-CN202211423373.0有效
发明人：王雨;冯加贵;熊康林;于文龙;周博艺;李晓梅 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于低温环境下的磁屏蔽装置及屏蔽方法，所述的用于低温环境下的磁屏蔽装置包括屏蔽主体，所述屏蔽主体包括依次嵌套设置的至少两个磁屏蔽单元，所述磁屏蔽单元包括金属壳体，以及依次套设于所述金属壳体外表面的超导层与高磁导率材料层，相邻两个所述磁屏蔽单元的超导层的超导临界温度互不相同。本发明提升了磁屏蔽的效果，确保能够在低温甚至于超低温环境下的使用，具有良好的导热性。
一种用于低温环境屏蔽装置方法

[发明专利]空桥结构及其制作方法、超导量子芯片及其制作方法-CN202011105613.3有效
发明人：张文龙;杨楚宏;淮赛男;郑亚锐;张胜誉;冯加贵;熊康林;武彪;黄永丹;陈肖;丁孙安 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本实施例提供了一种空桥结构及其制作方法、超导量子芯片及其制作方法。该空桥结构及其制作方法利用无机材料来形成桥撑结构，能够通过调整第一光刻胶结构来调整桥撑结构的形状，从而获得形状符合预期的空桥结构；而且形成桥撑结构的过程的温度不会过高，能够避免高温引起的光刻胶性质改变而难以去除的问题，也能够避免高温对温度敏感器件的性质产生影响，同时，采用剥离第二光刻胶结构的方式来获得空桥结构，不必对空桥材料层进行刻蚀，防止底部的空桥结构的情况发生，能够有效改善含有空桥结构的产品的性能。
结构及其制作方法超导量子芯片

[发明专利]一种超导量子芯片制备用保护层及超导量子芯片-CN202310093192.4有效
发明人：吴艳伏;丁增千;冯加贵;熊康林;杨丽娜 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N60/80 文献下载
摘要：本发明提供一种超导量子芯片制备用保护层及超导量子芯片，所述保护层用于防止超导芯片的氧化，所述保护层作为势阱，用于捕获超导芯片中的准粒子。所述保护层具有优异的抗氧化性以及耐腐蚀性能，有效地防止超导金属层的表面自然氧化及减小超导量子芯片的表面微波损耗，同时能捕获准粒子，提高超导量子比特相干时间。此外，所述保护层兼具优异的导电性和导热性，膨胀系数低，有助于芯片间粘合、导电及稳定。
一种超导量子芯片制备保护层

[发明专利]一种超导量子计算芯片及其制备方法-CN202211629160.3有效
发明人：周博艺;蔡晓;熊康林;冯加贵;王雨;李晓梅 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种超导量子计算芯片及其制备方法，该计算芯片具体包括：衬底；设置于衬底一侧的超导膜层，超导膜层包括共面波导结构的信号传输馈线以及至少两个不同频率的λ/4谐振腔，λ/4谐振腔的一端与信号传输馈线连接，λ/4谐振腔的另一端开路。本发明实施例的技术方案，通过在信号传输馈线上连接至少两个不同频率的λ/4谐振腔，形成能够通过读取谐振腔频率信号传输，抑制比特频率信号传输的带通滤波器，在降低量子比特与外界耦合即不影响量子比特相干时间的情况下，实现量子比特的快速读取。
一种超导量子计算芯片及其制备方法

[发明专利]一种超导量子电路的传输线结构-CN202211421098.9有效
发明人：蔡晓;周博艺;冯加贵;熊康林 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导量子电路的传输线结构，包括：所述传输线结构包括信号传输线和一个或多个接地线，所述信号传输线和所述接地线绝缘设置；所述信号传输线由直线和环形线结构构成，所述环形线结构用于增加所述信号传输线的分布电感；或者，所述接地线设置有预设数量的孔型结构，所述孔型结构用于改变所述信号传输线和所述接地线之间的分布电容。本发明设计的传输线结构可以起到调控超导量子电路的传输线结构特征阻抗的作用，并且传输线结构尺寸大小与微纳加工过程匹配，所面临的工艺不确定性降低，在保证目标阻抗条件下提高了传输线设计的稳定性。
一种超导量子电路传输线结构

[发明专利]一种多层超导量子芯片-CN202211659834.4有效
发明人：蔡晓;冯加贵;熊康林 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多层超导量子芯片。所述多层超导量子芯片由多层堆叠的芯片构成；多层超导量子芯片沿XY方向包括多个比特单元，任意两个所述比特单元具有相同的外围尺寸；单元内部具有定义完整和清晰的组件布局；多层超导量子芯片的Z方向上，比特单元包括叠置的多个功能层，多个功能层包括逻辑层、控制层、读取层、过渡层、滤波层及端口层；各功能层分布于多个不同的芯片上，功能层之间通过通孔或者铟柱实现电连接，以及通过耦合结构实现电磁场的耦合连接。基于完整设计的比特单元和耦合单元模块，本发明实施例构建具有量子比特阵列的多层超导量子芯片，实现大规模超导量子电路的可扩展设计。
一种多层超导量子芯片

[发明专利]具有低物理结构敏感性的电容器件及电路结构-CN202211382386.8有效
发明人：蔡晓;冯加贵;熊康林 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低物理结构敏感性的电容器件及电路结构，电容器件包括：基底，以及设置于所述基底上的第一电极和第二电极，所述基底上还设置有接地电极；所述第一电极和所述第二电极相对设置，且所述接地电极位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述接地电极与所述第一电极和所述第二电极均相互绝缘，且所述接地电极接地。本发明可降低电容对器件物理结构的敏感性，实现超导电路电容器件的精准可控设计。
具有物理结构敏感性电容器件电路

[发明专利]一种超导量子芯片首层结构及其制备方法-CN202211402335.7有效
发明人：吴艳伏;冯加贵;熊康林;杨丽娜;丁增千 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明提供一种超导量子芯片首层结构及其制备方法，属于量子芯片领域，所述首层结构包括依次连接的硅衬底层、中间层以及超导金属层；所述中间层用于阻挡硅和超导金属层之间的互扩散；所述中间层可用于捕获超导金属层中的准粒子。所述首层结构及其制备方法解决了硅与超导金属层之间的互溶问题，实现了超导金属薄膜的高温制备。利用所述方法制备的超导金属薄膜晶粒大、界面锐利和表面平整，有利于降低微波损耗体积、提高超导量子芯片性能。
一种超导量子芯片结构及其制备方法

[发明专利]一种量子比特芯片封装结构-CN202211442493.5有效
发明人：李晓梅;冯加贵;熊康林;于文龙;周博艺;王雨 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子比特芯片封装结构。该封装结构包括：上层读取控制芯片、下层读取控制芯片和中间量子比特芯片。中间量子比特芯片的上表面设置有第一金属层，下表面设置有第二金属层；上层读取控制芯片的两侧表面分别设置有第三金属层和第五金属层，第三金属层与第五金属层通过金属通孔互连；下层读取控制芯片的一侧表面设置有第四金属层；中间量子比特芯片包括第一部分量子比特和第二部分量子比特；第一部分量子比特的垂直投影与相邻的第二部分量子比特存在预设面积的交叠区域。本发明实施例的技术方案实现了量子比特芯片在三维方向的耦合，提高了量子比特芯片的集成度，增加了量子比特间的连接数，有效提升了量子芯片的算力。
一种量子比特芯片封装结构

[发明专利]滤波屏蔽装置及防杂散光干扰的量子处理系统-CN202010334671.7有效
发明人：孙骏逸;熊康林;陆晓鸣;黄永丹;冯加贵;武彪;丁孙安 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明提供了滤波屏蔽装置及防杂散光干扰的量子处理系统，其中，所述滤波屏蔽装置包括合围形成有内部容纳空间的滤波屏蔽外壳，所述滤波屏蔽外壳包括叠层设置的第一偏振层和第二偏振层，第一偏振层的偏振方向与所述第二偏振层的偏振方向相互垂直。所述滤波屏蔽装置基于偏振滤光原理实现了对杂散光的屏蔽作用，特别是针对量子线路的红外杂散光干扰尤为有效，而不同于设置杂散光吸收材料层的现有技术方案，偏振层并不需要通过增加厚度的方式来提高屏蔽效果，避免了增大线路的整体体积；滤波屏蔽装置与内部容纳空间中的容纳物相对独立，不需要在线路表面通过涂覆等工艺设置屏蔽层，避免直接影响线路，也因此可以应用于对大部分元器件直接进行屏蔽。
滤波屏蔽装置散光干扰量子处理系统

[发明专利]一种超导电路及其制备方法-CN202211652091.8有效
发明人：王涛;熊康林;冯加贵;李书明;杨丽娜 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种超导电路及其制备方法，所述制备方法包括：（1）在衬底上制备钽层；（2）对所述钽层依次经一次钝化处理、光刻‑刻蚀处理以及二次钝化处理，得到超导电路；所述光刻‑刻蚀处理包括依次进行的涂胶、一次烘烤、图形化处理、二次烘烤、等离子体处理、湿法刻蚀以及光阻剥离；所述制备方法采用湿法刻蚀，并结合钝化工艺以及等离子体处理工艺，有效解决了现有技术中干法刻蚀带了的衬底损伤问题，改善了金属图形边缘的平滑程度，减少了器件的二能级损耗，提升了器件的致密性和稳定性，同时金属层坡度可调利于约瑟夫森结的制备。
一种超导电路及其制备方法

[发明专利]一种指导芯片或其衬底开孔的方法、芯片组件及其应用-CN202211366944.1有效
发明人：李晓梅;冯加贵;熊康林;周博艺;于文龙;王雨 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种指导芯片或其衬底开孔的方法、芯片组件及其应用，所述方法包括如下步骤：初始化通孔参数，通孔周期性分布于衬底或芯片之上等效为光子晶体结构，然后按照光子晶体能带理论求解能带图，从能带图中找到对应频段的禁带；判断禁带是否满足所需禁带要求，若满足，则输出初始化通孔参数，按照初始化通孔参数在芯片或其衬底上进行开孔；若不满足，改变初始化通孔参数，直至得到的禁带满足所需禁带要求；本发明所述方法具备普适性和指导意义，为超导量子芯片衬底开孔的通用方法，能够明显改变禁带区间，提升超导量子芯片的性能。
一种指导芯片衬底方法组件及其应用

[发明专利]一种约瑟夫森结及其制备方法和应用-CN202211197865.2有效
发明人：杨丽娜;冯加贵;熊康林;崔志远;李晓伟;吴艳伏;王涛;李书明;李睿颖;丁增千 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种约瑟夫森结及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：（1）在衬底表面制备得到第一层钽层，对第一层钽层进行光刻，得到侧壁倾斜的下电极层；（2）在下电极层表面制备得到氧化钽层；（3）在氧化钽层表面制备第二层钽层，对第二层钽层进行光刻，得到上电极层，上电极层和下电极层交叠区域为所述约瑟夫森结。本发明提供的制备方法，通过优化光刻工艺步骤，解决了非阴影方式制备约瑟夫森结时下电极和上电极搭线断裂以及下电极侧壁残留导致的寄生结问题，避免了器件失效，大幅度提高成品率，保证器件性能。
一种约瑟夫及其制备方法应用

[发明专利]硅通孔结构、硅通孔互连结构及制备方法、电子设备-CN202110844292.7在审
发明人：郑伟文;熊康林;冯加贵;李晓伟;张文龙;卜坤亮;李登峰 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司;材料科学姑苏实验室
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅通孔结构、硅通孔互连结构及制备方法、电子设备，属于半导体技术领域。该方法包括：在形成贯穿双抛硅基衬底的初始通孔后，先通过热氧化处理使得初始通孔的内壁形成氧化硅薄膜，再去除该氧化硅薄膜以得到具有硅通孔的硅通孔结构。因初始通孔的内壁经热氧化处理形成一定厚度的氧化硅薄膜后，会逐渐趋于平滑，故将氧化硅薄膜去除后形成的硅通孔结构的硅通孔的内壁较为平滑，进而不会影响后续生长于该硅通孔的内壁上的导电材料的质量。
硅通孔结构互连制备方法电子设备

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