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[发明专利]蓄电设备-CN201880017572.7有效
发明人：殿川孝司;津国和之;工藤拓夫 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01M10/36 文献下载
摘要：蓄电设备(30)具备：第1氧化物半导体层(14)，其具有第1导电型的第1氧化物半导体；第1充电层(16)，其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成；和，第3氧化物半导体层(24)，其配置于第1充电层(16)上。第3氧化物半导体层(24)具有氢、和第2导电型的第3氧化物半导体，氢相对于构成第3氧化物半导体的金属的比率为40％以上。提供能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的蓄电设备。
设备

[发明专利]二次电池-CN201780052280.2有效
发明人：殿川孝司;小坂裕;津国和之;高野光;秩父重英;小岛一信 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01M10/36 文献下载
摘要：二次电池(30)具备：第1导电型的第1氧化物半导体层(14)；第1充电层(16)，其配置于第1氧化物半导体层(14)上，且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成；第2充电层(18)，其配置于第1充电层(16)上；第2导电型的第3氧化物半导体层(24)，其配置于第2充电层(18)上；和，氢氧化物层(22)，其配置于第1充电层(16)与第3氧化物半导体层(24)之间，且具有构成第3氧化物半导体层(24)的金属的氢氧化物。提供能量密度提高、能增大电池特性(蓄电容量)、且可靠性高的二次电池。
二次电池

[发明专利]二次电池-CN202080010602.9在审
发明人： 津国和之;小笠原树里;殿川孝司;加藤宽之 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2020-01-30 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：一种具有改善的性能的二次电池。根据本实施例，二次电池(100)包括第一电极(21)、第二电极(22)、设置在第一电极(21)上并包括第一n型氧化物半导体的第一层(11)、设置在第一层(11)上并包括第二n型氧化物半导体材料和第一绝缘材料的第二层(12)、设置在第二层(12)上并且是固体电解质层的第三层(13)以及设置在第三层(13)上并包括六方Ni(OH)2微晶的第四层(14)。
二次电池

[发明专利]二次电池-CN201980013431.2在审
发明人： 津国和之;殿川孝司;中田邦彦;小坂裕 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2019-02-06 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01M10/36 文献下载
摘要：一种二次电池(30)，其具备：固体电解质层(18)，其具有水(H2O)和羟基(‑OH)中的至少一者；正极活性物质层(22)，其配置于固体电解质层的上表面、且含有氢氧化镍作为正极活性物质；第2电极(正极)(26)，其配置于正极活性物质层的上表面；负极活性物质层(16)，其与正极活性物质层相对、配置于固体电解质层的下表面、且含有具有水(H2O)和羟基(‑OH)中的至少一者的氧化钛化合物(TiOX)作为负极活性物质；第1电极(负极)(12)，其与第2电极(正极)(26)相对、配置于负极活性物质层的下表面；p型半导体层(24)，其配置于正极活性物质层与第2电极(正极)之间；和n型半导体层(14)，其配置于负极活性物质层与第1电极(负极)之间。提供能量密度增加了的二次电池。
二次电池

[发明专利]蓄电装置-CN201880069521.9在审
发明人：工藤拓夫;津国和之 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种蓄电装置结构，其相对于现有的蓄电装置的层叠数减少。本发明的蓄电装置将导电性电极、具有绝缘体和n型金属氧化物半导体的蓄积电荷的充电层、以及由作为固态电致变色元件的电介质层所使用的材料的氧化铱形成的氧化铱层依次层叠。由于氧化铱具有低电阻率，因此可使氧化铱层具有导电性电极的功能，省略了导电性电极而使层叠数减少。
装置

[发明专利]二次电池-CN201880018529.2在审
发明人：斋藤友和;高野光;佐藤祐树;津国和之 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01M10/36 文献下载
摘要：二次电池(30)具备：第1导电型的第1氧化物半导体层(14)；第1充电层(16T)，其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且由第1金属氧化物形成；第1分离层(18SNS)，其配置于第1充电层(16T)上；和，第2导电型的第2氧化物半导体层(24)，其配置于第1分离层(18SNS)上。第1充电层(16T)不是由包含硅的材料构成的。在第1充电层(16T)上可以具备配置于第1分离层(18SNS)与第1充电层(16T)之间的第2分离层(18TS)。提供：能降低内阻、能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的二次电池。
充电层分离层氧化物半导体层二次电池配置导电型金属氧化物蓄电容量内阻

[发明专利]蓄电设备和固体电解质层的制造方法-CN201880017932.3在审
发明人：殿川孝司;津国和之;小笠原树理;佐藤祐树 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01G11/56 文献下载
摘要：蓄电设备(30)具备：第1导电型的第1氧化物半导体层(14)；固体电解质层(18K)，其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且包含质子能移动的固体电解质；绝缘物层(18N)，其配置于固体电解质层(18K)与第1氧化物半导体层(14)之间、且具备绝缘物；和，第2导电型的第2氧化物半导体层(24)，其配置于固体电解质层(18K)上。提供：即使增大蓄电容量、且增加充电电压也不劣化而能进行充电的可靠性得到改善的蓄电设备。
氧化物半导体层固体电解质层蓄电设备导电型配置固体电解质充电电压绝缘物层蓄电容量绝缘物质子劣化充电移动制造

[发明专利]搭载二次电池的电路芯片及其制造方法-CN201480011105.5有效
发明人： 津国和之;井上龙雄;桧皮清康;殿川孝司;中泽明 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司;刮拉技术有限公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：提供一种搭载二次电池的电路芯片及其制造方法，其中二次电池被直接地装配在电路和二次电池的集成结构的所形成电路的相反的表面。搭载二次电池的电路芯片被配置为这样：二次电池被直接地装配在对应于电路和二次电池的集成结构的电路的区域中。芯片是搭载二次电池的电路芯片，其中二次电池形成与在晶片上所装配的电路区域相对的表面上。通过将具有多层布线的电路的最上部形成到被钝化的电路表面的上部上的二次电池结构中，形成通过制作要被共同使用的表面结构中的电路的多层布线部的最上的布线层所直接堆叠的二次电池，或者将二次电池形成在使其上形成电路的基板的后表面上，从而二次电池和电路形成到集成结构中。
搭载二次电池电路芯片及其制造方法

[发明专利]片状电池试验装置及片状电池试验方法-CN201480079641.9有效
发明人：斋藤友和;津国和之;桧皮清康 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01M10/48 文献下载
摘要：通过将片状电池交替折叠，将电极端子夹入于该被折叠的片状电池之间，能够保持相同形状的构成携带至电池的检查/试验的下道工序，能够缩小电池的试验装置的装置规模，实现试验空间的狭小化。本发明的片状电池试验装置及片状电池试验方法包括：折叠部，其将两面具备电极层的片状电池交替改变折叠方向地进行折叠；试验部，其在将电极端子夹入到片状电池的被折叠后的部分的状态下，向电极端子供给电力并进行规定的试验。
片状电池试验装置试验方法

[发明专利]二次电池的制造方法-CN201780029956.6在审
发明人： 津国和之;斋藤友和;佐藤祐树;高野光 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够增大放电容量的二次电池的制造方法。根据本申请的二次电池的制造方法，在依次层叠了第一电极(12)、由n型金属氧化物半导体形成的n型金属氧化物半导体层(14)、由n型金属氧化物半导体与绝缘体形成的充电层(16)、以绝缘体为主要成分的中间绝缘层(18)、由p型金属氧化物半导体形成的p型金属氧化物半导体层(22)和第二电极(24)之后，依次以第一电极(12)为基准在第一电极(12)与第二电极(24)之间施加正电压的第一步骤、以第一电极(12)为基准在第一电极(12)与第二电极(24)之间施加0V的第二步骤进行反复的反复步骤作为第1单位循环，反复进行预定数量的第1单位循环。
第一电极第二电极二次电池绝缘体单位循环制造氧化物半导体层施加氧化物半导体中间绝缘层放电容量依次层叠充电层正电压申请

[发明专利]用于二次电池的中间结构单元和用于制造二次电池的方法-CN201680042963.5在审
发明人：佐藤祐树;津国和之;斋藤友和 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开了一种二次电池中间结构(100)，其种二次电池(21)和测试结构(22)布置在相同的基板材料(10)上。在二次电池中间结构100中，二次电池(21)和测试结构(22)中的每个设置有第一电极层(1)和第二电极层(5)。在二次电池(21)中，多个层层叠在第一电极层(1)与第二电极层(5)之间。这些层包括至少金属氧化物半导体层和充电层(3)。在测试结构(22)中，这些层中的一层或一些层布置在第一电极层(1)与第二电极层(5)之间。
用于二次电池中间结构单元制造方法

[发明专利]搭载二次电池的芯片的制造方法-CN201680045200.6在审
发明人： 津国和之;井上龙雄;斋藤友和;小笠原树里;殿川孝司;工藤拓夫 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：提供一种能够在多个芯片上同时且均匀地制造氧化物半导体二次电池的制造方法。其为在电路上层叠有层叠第一电极(52)、充电功能层(54、56、58)和第二电极(60)而成的氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，具备层叠工序，其相对于对应于形成于晶片(20)上的多个芯片22的各芯片(22)的区域不是单个地形成氧化物半导体二次电池、而是相对于对应于多个芯片(22)的区域一体地层叠并形成氧化物半导体二次电池；以及，分割工序，其相对于一体地形成的氧化物半导体二次电池，进行保留对应于各芯片(22)的区域、除去不对应于各芯片(22)的其它区域的图案蚀刻，从而分隔为对应于各芯片(22)的单个氧化物半导体二次电池(50‑1、50‑2)。
搭载二次电池芯片制造方法

[发明专利]充放电装置-CN201380039134.8有效
发明人：出羽晴匡;桧皮清康;斋藤友和;津国和之;中泽明 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司;刮拉技术有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种充放电装置，其不使用具有非常高的电流供给能力的电源，即可使多个二次电池同时并联充放电。本发明所涉及的充放电装置使多个充放电体同时并联进行充电动作和放电动作，其具有充电用电力线，其将电源机构提供的电力供给各充放电体；放电用电力线，各充放电体通过该放电用电力线将放电电力供给电源机构；连接切换机构，其设有多个，配置在充电用电力线及放电用电力线与多个充放电体之间，用于切换充电用电力线及放电用电力线与多个充放电体之间的连接；切换控制机构，其对多个连接切换机构进行切换控制；电源机构施加各不相同的多个电压值。切换控制机构进行切换控制，以使各充放电体按照规定顺序与多个充电用电力线和多个放电用电力线循环连接。
放电装置

[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法-CN95103555.X在审
发明人：薄網弘久;津国和之;児岛雅之;野尻一男;风本圭司 -专利权人：株式会社日立制作所;日立VLSI工程公司
申请日： 1995-03-25 - 公布日： 1996-06-12 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种用以形成存贮电极的上层翅片和下层翅片的工艺方法，以及由此方法制造的半导体集成电路器件。当用第1掩模由干法腐蚀依次刻蚀成两层的多晶硅膜以形成上层翅片和下层翅片时，首先把上层多晶硅膜刻成图形，以便按DRAM存储单元最小加工尺寸形成两上层翅片的间隙，形成上层翅片。再利用具有以自对准方式由第1掩模图形扩大了的图形的第2掩模，由干法腐蚀形成下层翅片，使下翅片的水平尺寸大于上层翅片。
半导体集成电路器件及其制造方法

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