[实用新型]一种金属氧化物半导体场效应晶体管的外延片结构有效
| 申请号： | 201620673440.8 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN205692834U | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 陈小铎;王作义;崔永明;马洪文;白磊 | 申请（专利权）人： | 四川广瑞半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 郭受刚 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市国开*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管的外延片结构，包括由下至上顺次层叠设置的二氧化硅底层、衬底、单晶硅隔离层、外延层及绝缘介质层，其中，外延层构成有第一环状隔离沟槽和第二环状隔离沟槽，第一环状隔离沟槽和第二环状隔离沟槽两者内部均填充有栅氧化层和栅极导电多晶硅。第一环状隔离沟槽与第二环状隔离沟槽之间、第二环状隔离沟槽与外延层的侧壁之间均设置有P型阱区，P型阱区上方设置有N型源极区，绝缘介质层上设有与N型源极区形成欧姆接触的源极接触结构，外延层内设有位于P型阱区下方的离子注入调节层。本实用新型应用时便于通过离子注入的方式来改变本实用新型的耐压值，使得本实用新型可适应不同耐压需求的产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体场效应晶体管的外延片结构，其特征在于，包括衬底（1）、外延层（2）、绝缘介质层（11）、二氧化硅底层（13）及单晶硅隔离层（14），所述单晶硅隔离层（14）和二氧化硅底层（13）分别覆盖于衬底（1）上下端面，外延层（2）沉积于单晶硅隔离层（14）上端面，绝缘介质层（11）覆盖在外延层（2）上端面；所述外延层（2）上端面内凹构成有第一环状隔离沟槽（3）及环绕第一环状隔离沟槽（3）设置且与第一环状隔离沟槽（3）接通的第二环状隔离沟槽（4），所述第一环状隔离沟槽（3）和第二环状隔离沟槽（4）两者内部均填充有栅氧化层（5）及位于栅氧化层（5）中央的栅极导电多晶硅；所述第一环状隔离沟槽（3）与第二环状隔离沟槽（4）之间、第二环状隔离沟槽（4）与外延层（2）的侧壁之间均设置有P型阱区（9），所述P型阱区（9）上方设置有N型源极区（10），所述绝缘介质层（11）上设有与N型源极区（10）形成欧姆接触的源极接触结构，所述外延层（2）内设有位于P型阱区（9）下方的离子注入调节层（6）。
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