[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611158235.9 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107104139B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括半导体衬底以及至少一个栅极堆叠件。栅极堆叠件位于半导体衬底上，并且栅极堆叠件包括至少一个功函数导体和填充导体。在功函数导体中具有凹槽。填充导体包括插塞部和盖部。插塞部位于功函数导体的凹槽中。盖部覆盖功函数导体。本发明还提供一种制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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