[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201611093812.0 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106972053B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 金奇奂;朴起宽;刘庭均;申东石;崔炫烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：包含第一区域和第二区域的基板；在第一区域中的第一和第二栅电极，在基板上彼此平行地形成并且彼此间隔开第一距离；在第二区域中的第三和第四栅电极，在基板上彼此平行地形成并且彼此间隔开大于第一距离的第二距离；在第一区域中形成在基板上在第一和第二栅电极之间的第一凹槽；在第二区域中形成在基板上在第三和第四栅电极之间的第二凹槽；填充第一凹槽的第一外延源极/漏极；以及填充第二凹槽的第二外延源极/漏极，其中第一外延源极/漏极的上表面的最高部分高于第二外延源极/漏极的上表面的最高部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含：包含第一区域和第二区域的基板；在所述第一区域中的第一和第二栅电极，在所述基板上彼此平行地延伸，而且彼此间隔开第一距离；在所述第二区域中的第三和第四栅电极，在所述基板上彼此平行地延伸，而且彼此间隔开比所述第一距离大的第二距离；在所述第一区域中的第一凹槽，形成在所述基板上在所述第一和第二栅电极之间；在所述第二区域中的第二凹槽，形成在所述基板上在所述第三和第四栅电极之间；填充所述第一凹槽的第一外延源极/漏极；和填充所述第二凹槽的第二外延源极/漏极，其中所述第一外延源极/漏极的上表面的最高部分高于所述第二外延源极/漏极的上表面的最高部分。
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