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- [发明专利]半导体装置-CN202210628825.2在审
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金奇奂;柳廷昊;李峭蒑;全勇昱;曺荣大
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三星电子株式会社
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2022-06-06
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2023-02-17
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H01L29/08
- 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，具有下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的片状图案；源/漏图案，在下部图案上，源/漏图案与片状图案接触；以及栅极结构，在源/漏图案的相对侧上，栅极结构沿第二方向彼此间隔开并且包括围绕片状图案的栅电极，其中，源/漏图案包括：第一外延区域，具有锑和铋中的至少一种，第一外延区域具有与下部图案接触但不与片状图案接触的底部，并且底部的厚度在第二方向上远离栅极结构增大然后减小；以及第二外延区域，在第一外延区域上，第二外延区域包括磷。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件-CN202111544172.1在审
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金奇奂;张星旭;郑秀珍;曹荣大
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三星电子株式会社
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2021-12-16
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2022-07-08
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H01L29/78
- 一种半导体器件包括：有源区，所述有源区在衬底上沿第一方向延伸；多个沟道层，所述多个沟道层在所述有源区上彼此垂直间隔开，并且包括半导体材料；栅极结构，所述栅极结构在所述衬底上沿第二方向延伸；和源极/漏极区，所述源极/漏极区在所述栅极结构的至少一侧设置所述有源区上。所述栅极结构与所述有源区和所述多个沟道层相交，并且围绕所述多个沟道层。所述源极/漏极区接触所述多个沟道层，并且包括第一杂质。在所述多个沟道层的至少一个沟道层中，与所述有源区相邻的下部区域包括第一浓度的所述第一杂质和第二杂质，并且上部区域包括低于所述第一浓度的第二浓度的所述第一杂质和所述第二杂质。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体装置-CN202111391234.X在审
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金奇奂;张星旭;郑秀珍;曹荣大
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三星电子株式会社
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2021-11-23
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2022-06-28
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H01L27/088
- 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源区，在第一方向上延伸；多个沟道层，在有源区上；栅极结构，在第二方向上延伸；以及源区/漏区，设置在有源区上，并且连接到多个沟道层中的每个，其中，源区/漏区包括：第一外延层，具有下端部分和沿着多个沟道层的侧表面连续延伸的侧壁部分，并且第一外延层掺杂有第一杂质；以及第二外延层，在第一外延层上，具有与第一外延层的成分不同的成分，并且掺杂有第二杂质，其中，第一杂质在第一外延层的成分中的扩散率低于第二杂质在第一外延层的成分中将具有的扩散率。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201610847647.7有效
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金奇奂;刘庭均;朴起宽;申东石;金辰昱
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三星电子株式会社
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2016-09-23
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2021-06-01
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H01L29/78
- 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，形成在第一区中，远离基底突出，并在第一方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍型图案上，第一源极/漏极在与第一方向相交的第二方向上的剖面呈第一凸起多边形的形状；第二源极/漏极，位于第二鳍型图案上，第二源极/漏极在第二方向上的剖面呈与第一凸起多边形的形状相同的第二凸起多边形的形状；第三鳍型图案和第四鳍型图案，形成在第二区中，远离基底突出；第三源极/漏极，位于第三鳍型图案上；以及第四源极/漏极，位于第四鳍型图案上，第四源极/漏极在第四方向上的剖面是与第三凸起多边形的形状不同的第四凸起多边形的形状。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件-CN201611093812.0有效
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金奇奂;朴起宽;刘庭均;申东石;崔炫烈
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三星电子株式会社
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2016-12-01
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2020-10-13
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H01L29/08
- 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：包含第一区域和第二区域的基板；在第一区域中的第一和第二栅电极，在基板上彼此平行地形成并且彼此间隔开第一距离；在第二区域中的第三和第四栅电极，在基板上彼此平行地形成并且彼此间隔开大于第一距离的第二距离；在第一区域中形成在基板上在第一和第二栅电极之间的第一凹槽；在第二区域中形成在基板上在第三和第四栅电极之间的第二凹槽；填充第一凹槽的第一外延源极/漏极；以及填充第二凹槽的第二外延源极/漏极，其中第一外延源极/漏极的上表面的最高部分高于第二外延源极/漏极的上表面的最高部分。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件-CN202010014972.1在审
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张星旭;曹荣大;金奇奂;郑秀珍
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三星电子株式会社
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2020-01-07
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2020-07-14
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H01L29/78
- 半导体器件包括：有源区，其在衬底上在第一方向上延伸；沟道层，其位于有源区上并竖直地间隔开；栅极结构，其与有源区和沟道层交叉，栅极结构在第二方向上延伸并围绕沟道层；以及源/漏区，其位于栅极结构的一侧的有源区上，源/漏区接触沟道层，源/漏区包括第一外延层和第二外延层，第一外延层具有第一成分并包括第一层和第二层，所述第一层位于沟道层的侧表面上，所述第二层位于源/漏区的下端的有源区上，第二外延层具有与第一成分不同的第二成分，第二外延层在第一方向上位于第一外延层之间，并在第三方向上竖直地位于第一外延层之间。
- 半导体器件
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