[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610971023.6 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN107039529B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 朴文圭;宋在烈;罗勋奏;黄允泰;尹琪重;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了在栅绝缘膜中具有更少缺陷以及和改善的可靠性的半导体器件以及形成该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括在基板上的栅绝缘膜和在栅绝缘膜上的栅电极结构。栅电极结构可以包括在栅绝缘膜上顺序层叠的下导电膜、硅氧化物膜和上导电膜。下导电膜可以包括阻挡金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含：在基板上的栅绝缘层；以及在所述栅绝缘层上的栅电极结构，其中所述栅电极结构包含在所述栅绝缘层上顺序层叠的下导电层和上导电层以及在所述下导电层和所述上导电层之间的硅氧化物层，所述下导电层包括阻挡金属层。
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