[发明专利]具有深扩散区的半导体器件有效
| 申请号： | 201610921726.8 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107039528B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·维本;彼得·伊尔西格勒;汉斯-约阿希姆·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/772;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;李春晖 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有深扩散区的半导体器件。一种处理半导体器件(1)的方法(2)，包括：提供(20)具有第一导电类型的掺杂剂的半导体本体(10)；形成(21)沿垂直方向(Z)延伸到半导体本体中的至少一个沟槽(11a)，沟槽被两个沟槽侧壁(113a)横向限定并且被沟槽底部(114a)垂直限定；将物质(31)施加(26)到由沟槽侧壁中的一个沟槽侧壁和/或沟槽底部形成的沟槽表面的至少一部分(111a)上，其中，施加(26)物质(31)包括防止物质施加至沟槽侧壁中的另一个；以及使所施加的物质(31)从部分(111a)扩散(28)到半导体本体中，从而在半导体本体中形成具有第二导电类型的掺杂剂的半导体区(12a)，并且半导体区被布置成与部分(111a)相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩散 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种处理半导体器件(1)的方法(2)，包括：提供(20)具有第一导电类型的掺杂剂的半导体本体(10)；形成(21)沿垂直方向(Z)延伸到所述半导体本体(10)中的至少一个沟槽(11a)，所述沟槽(11a)被两个沟槽侧壁(113a)横向地限定并且被沟槽底部(114a)垂直地限定；将物质(31)施加(26)到由所述至少一个沟槽(11a)的沟槽侧壁(113a)中的一个沟槽侧壁和/或沟槽底部(114a)形成的沟槽表面的至少一部分(111a)上，其中，施加(26)所述物质(31)包括防止所述物质被施加至所述沟槽侧壁(113a)中的另一个；以及使所施加的物质(31)从所述部分(111a)扩散到所述半导体本体(10)中，从而在所述半导体本体(10)中形成具有第二导电类型的掺杂剂的半导体区(12a)，并且所述半导体区(12a)被布置成与所述部分(111a)相邻，其中，所述半导体区(12a)被布置成仅与所述两个沟槽侧壁(113a)中的一个相邻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610921726.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
