[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201610881292.3 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107919367B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 王明军;汪新学 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括:提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有绝缘层、金属膜层、以及位于部分所述金属膜层上的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述金属膜层；去除未被所述掩膜层遮蔽部分的所述金属膜层残留；对所述掩膜层进行修剪处理以减小所述掩膜层的横向宽度；以所述掩膜层为掩膜蚀刻去除所述金属膜层未被所述掩膜层遮蔽的部分；去除所述掩膜层。根据本发明实施例提供的半导体器件的制作方法，能有效去除台阶侧壁上的金属残留，又能保证金属线的性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有绝缘层、金属膜层、以及位于部分所述金属膜层上的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述金属膜层；去除未被所述掩膜层遮蔽部分的所述金属膜层残留；对所述掩膜层进行修剪处理以减小所述掩膜层的横向宽度；以所述掩膜层为掩膜蚀刻去除所述金属膜层未被所述掩膜层遮蔽的部分；去除所述掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
