[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成图形化的控制栅和自对准硬掩膜层；在图形化的控制栅和自对准硬掩膜层的侧壁上形成间隙壁以及位于间隙壁之上的刻蚀停止层；形成源/漏自对准接触，其中，图形化的自对准硬掩膜层包括第一部分和位于第一部分之下的第二部分，所述第一部分的宽度小于所述第二部分的宽度，所述间隙壁包括位于所述自对准硬掩膜层第一部分的侧壁上的第一间隙壁和位于自对准硬掩膜层第二部分和控制栅的侧壁上的第二间隙壁，第二间隙壁被蚀刻停止层完全包裹。该制作方法可以NOR存储器中控制栅与源/漏的短接或击穿。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。