[发明专利]一种功率半导体器件在审
| 申请号： | 201610348220.2 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN106024869A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;唐血锋;刘超;娄伦飞;程武;刘亚伟;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/745;H01L21/28;H01L21/332 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种功率半导体器件。本发明包括从下至上依次层叠设置的阳极金属、P型阳极区和N型衬底；所述N型衬底上层具有P型基区，所述P型基区上层具有相互独立的N型源区和N型发射区；所述N型衬底上表面具有栅氧化层，所述栅氧化层还延伸覆盖部分P型基区和N型源区的上表面；所述栅氧化层的上表面具有栅极金属；所述N型发射区上表面具有第一阴极金属，所述第一阴极金属还覆盖部分P型基区的上表面；其特征在于，所述N型源区的上表面还具有第二阴极金属。本发明的有益效果为，解决了常规的功率器件在阴极电感引起的栅氧化层击穿问题，从而提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，包括从下至上依次层叠设置的阳极金属(8)、P型阳极区(7)和N型衬底(6)；所述N型衬底(6)上层具有P型基区(5)，所述P型基区(5)上层具有相互独立的N型源区(2)和N型发射区(10)；所述N型衬底(6)上表面具有栅氧化层(4)，所述栅氧化层(4)还延伸覆盖部分P型基区(5)和N型源区(2)的上表面；所述栅氧化层(4)的上表面具有栅极金属(3)；所述N型发射区(10)上表面具有第一阴极金属(9)，所述第一阴极金属(9)还覆盖部分P型基区(5)的上表面；其特征在于，所述N型源区(2)的上表面还具有第二阴极金属(1)。
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