[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法

摘要

本发明的目的在于，即使在将处理室维持在高温来处理衬底的情况下也能够抑制对周围构造的热影响。作为方式之一而提供一种衬底处理装置，其具有第一处理室，其具有加热第一衬底的第一加热部、处理第一衬底的第一处理空间、配置在第一处理空间的下方的第一输送空间以及构成第一处理空间和第一输送空间的壁；第二处理室，其具有隔着作为壁的一部分的共用壁而与第一处理室相邻并加热第二衬底的第二加热部、处理第二衬底的第二处理空间以及配置在第二处理空间的下方的第二输送空间；其他壁，其在构成第一处理室和第二处理室的壁中构成与所述共用壁不同的壁；冷却流路，其设在共用壁和其他壁上，以使共用壁的冷却效率比其他壁高的方式构成。

主权项

一种衬底处理装置，其特征在于，具有：第一处理室，其具有加热第一衬底的第一加热部、处理所述第一衬底的第一处理空间、配置在所述第一处理空间的下方的第一输送空间、以及构成所述第一处理空间和所述第一输送空间的壁；第二处理室，其具有隔着作为所述壁的一部分的共用壁而与所述第一处理室相邻并加热第二衬底的第二加热部、处理所述第二衬底的第二处理空间、以及配置在所述第二处理空间的下方的第二输送空间；其他壁，其在构成所述第一处理室和所述第二处理室的壁中构成与所述共用壁不同的壁；冷却流路，其设置于所述共用壁和所述其他壁，以使所述共用壁的冷却效率比所述其他壁高的方式构成。