[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。可抑制半导体器件的特性偏差。具有下述工序：对具有实施了研磨的第一绝缘膜的衬底的第一绝缘膜的膜厚分布数据进行接收的工序；基于膜厚分布数据，运算使衬底的中心侧的膜厚与外周侧的膜厚之差减小的处理数据的工序；将衬底搬入处理室的工序；向衬底供给处理气体的工序；和基于处理数据，以使生成于衬底的中心侧的处理气体的活性种的浓度与生成于衬底的外周侧的处理气体的活性种的浓度不同的方式使处理气体活化，从而修正第一绝缘膜的膜厚分布的工序。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，具有下述工序：对具有实施了研磨的第一绝缘膜的衬底的所述第一绝缘膜的膜厚分布数据进行接收的工序；基于所述膜厚分布数据，对使所述衬底的中心侧的膜厚与外周侧的膜厚之差减小的处理数据进行运算的工序；将所述衬底搬入处理室的工序；向所述衬底供给处理气体的工序；和基于所述处理数据，以使生成于所述衬底的中心侧的所述处理气体的活性种的浓度与生成于所述衬底的外周侧的所述处理气体的活性种的浓度不同的方式，使所述处理气体活化，从而修正所述第一绝缘膜的膜厚分布的工序，其中，在所述膜厚分布数据为所述衬底的外周侧的膜厚比所述衬底的中心侧的膜厚小的情况下，在所述修正的工序中，使从所述衬底的侧方供给的高频电力比从所述衬底的上方供给的高频电力大，使所述处理气体活化。