[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610023757.1 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105810738B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 游承谚;张哲诚;程潼文;张哲豪;杨柏峰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/165 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 用于制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成鳍结构。形成隔离绝缘层，使得鳍结构的上部突出于隔离绝缘层。在部分鳍结构上方形成栅极结构。在鳍结构的两侧处的隔离绝缘层中形成凹槽。在未由栅极结构覆盖的部分鳍结构中形成凹槽。鳍结构中的凹槽和隔离绝缘层中的凹槽形成为使得从隔离绝缘层的最上表面测量的鳍结构中的凹槽的深度D1和隔离绝缘层中的凹槽的深度D2满足0≤D1≤D2(但是D1和D2不同时为0)。本发明的实施例还涉及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构；形成隔离绝缘层，使得所述鳍结构的上部突出于所述隔离绝缘层；在部分所述鳍结构上方和所述隔离绝缘层上方形成栅极结构；在所述鳍结构的两侧处的所述隔离绝缘层中形成凹槽；以及在未由所述栅极结构覆盖的部分所述鳍结构中形成凹槽，其中，所述鳍结构中的凹槽和所述隔离绝缘层中的凹槽形成为使得从所述隔离绝缘层的最上表面测量的所述鳍结构中的凹槽的深度D1和所述隔离绝缘层中的凹槽的深度D2满足0≤D1≤D2，其中，D1和D2不同时为0。
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