[实用新型]一种沟槽肖特基管结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201520461970.1 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN205069642U | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 余强;张小辛;郑晨焱 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种沟槽肖特基管结构及半导体器件，所述沟槽肖特基管结构至少包括：分区域制备于外延片表层的第一沟槽型肖特基结构和第二沟槽型肖特基结构；其中，所述第一沟槽型肖特基结构包括岛状肖特基结阵列及围绕于各岛状肖特基结周围的连续网状沟槽单元；所述第二沟槽型肖特基结构包括分离沟槽单元阵列及围绕于各分离沟槽单元周围的连续网状肖特基结。本实用新型的沟槽肖特基管结构降低了沟槽总面积，使得沟槽型功率肖特基器件的有效面积增加，同时具有高反向击穿电压，低正向压降和高电流通过能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基管 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种沟槽肖特基管结构，其特征在于，所述沟槽肖特基管结构至少包括：分区域制备于外延片表层的第一沟槽型肖特基结构和第二沟槽型肖特基结构；其中，所述第一沟槽型肖特基结构包括岛状肖特基结阵列及围绕于各岛状肖特基结周围的连续网状沟槽单元；所述第二沟槽型肖特基结构包括分离沟槽单元阵列及围绕于各分离沟槽单元周围的连续网状肖特基结。
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