[发明专利]半导体器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201410553114.9 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105576012A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 贾海强;陈弘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/20;H01L21/316;H01L21/32 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 宋鹰武;沈祖锋 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的半导体器件包括依次形成的硅基材料基片、过渡层、氧化物隔离层、种子层及结构层，其中，种子层具有开口区域，所述结构层外延生长在所述种子层的非开口区域，所述氧化物隔离层为在所述过渡层外延生长的AlAs基化合物材料层，并在所述AlAs基化合物材料层氧化后形成的Al2O3材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：硅基材料基片；过渡层，其形成于所述基片上；氧化物隔离层，其位于所述过渡层上，其中，所述氧化物隔离层为在所述过渡层之后外延生长的AlAs基化合物材料层，并将所述AlAs基化合物材料层氧化后形成的Al2O3材料层；种子层，其外延生长在所述AlAs基化合物材料层上，且具有开口区域；及结构层，其外延生长在所述种子层的非开口区域。
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