[发明专利]半导体器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410086108.7 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN103824837A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/20;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件结构及其制作方法，包括提供绝缘体上硅结构，所述绝缘体上硅结构包括硅衬底、埋氧层和顶层硅；形成半导体器件；由硅衬底的第二表面起刻蚀硅衬底至露出埋氧层以形成开口；在所述开口中形成陷阱层。本发明提供一种半导体器件结构，包括硅衬底、位于所述硅衬底的第一表面的埋氧层、位于所述埋氧层上的顶层硅、位于顶层硅内部或表面的半导体器件、贯穿硅衬底的第二表面且露出所述埋氧层的开口以及位于开口内的埋氧层上的陷阱层。本发明的有益效果在于，一方面，既基本得到相同的效果又简化了工艺步骤和难度，更加易于实施；另一方面，仅在形成的开口中形成所述陷阱层，相比于现有技术节省了一定的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅结构，所述绝缘体上硅结构包括硅衬底、位于硅衬底第一表面上的埋氧层和位于埋氧层上的顶层硅；在所述顶层硅内及表面形成半导体器件；在形成半导体器件后，由硅衬底的第二表面起，刻蚀硅衬底至露出埋氧层，形成开口，所述第二表面与第一表面相对设置；在所述开口中形成陷阱层。
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