[发明专利]半导体器件及半导体晶片在审
| 申请号： | 201410063577.7 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104009024A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 石井泰之 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可提高经过切割工序所获得的半导体器件的可靠性的技术。在环形区域中的密封圈的外侧设置第一外环，且在所述第一外环的外侧设置有第二外环。由此，在通过划片刀将环形区域的外侧的切割区域进行切断时，便可防止裂痕到达环形区域中的密封圈上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
一种具有半导体芯片的半导体器件，其特征在于，所述半导体芯片具有：形成有集成电路的电路区域；以及形成于所述电路区域外侧的环形区域；其中，所述环形区域形成有：(a)半导体衬底；(b)形成于所述半导体衬底上的密封圈；(c)形成于所述密封圈上的表面保护膜；(d)形成于所述表面保护膜的槽部，且所述槽部形成于所述密封圈的外侧；(e)形成于所述密封圈和所述槽部之间的第1外环；以及(f)形成于所述第1外环的外侧的第2外环，且从俯视看去，所述第2外环以与所述槽部重合的方式形成；其中，所述第2外环的上表面不从所述槽部的底面露出。
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