[实用新型]半导体器件和包括该半导体器件的集成装置有效
| 申请号： | 201320675567.X | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203800054U | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;U.瓦尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;王洪斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件和包括该半导体器件的集成装置。所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；补偿区，其包括位于所述缓冲层上的p区和n区；以及位于所述补偿区上的多个晶体管单元，所述多个晶体管单元的每一个包括源区、体区、栅电极、以及至少在栅电极和体区之间形成的栅极电介质。所述栅电极具有等于或小于相邻晶体管单元之间的间距的三分之一的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 集成 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；补偿区，其包括位于所述缓冲层上的p区和n区；以及位于所述补偿区上的多个晶体管单元，所述多个晶体管单元的每一个包括源区、体区、栅电极、以及至少在栅电极和体区之间形成的栅极电介质，其特征在于，所述栅电极具有等于或小于相邻晶体管单元之间的间距的三分之一的宽度。
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