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[发明专利]具有背面管芯金属化的模制的半导体封装-CN201410393889.4有效
发明人： V.胡贝尔;T.基尔格;D.迈尔;R.奥特伦巴;K.席斯;A.施勒格尔;B.施塔德勒;U.瓦赫特;U.瓦尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及具有背面管芯金属化的模制的半导体封装。通过提供在管芯的第一侧处具有端子的半导体管芯，提供在该管芯的相对的第二侧处耦合到该管芯的材料，并且把该管芯嵌入到模制复合物中以便该管芯在除了第一侧外的所有侧上由该模制复合物所覆盖，来制造半导体封装。该模制复合物在邻近该管芯的第二侧的模制复合物的侧处被减薄，以在不暴露该管芯的第二侧的情况下暴露该管芯的第二侧处的材料。形成到该管芯的第一侧处的端子的电连接。在晶体管管芯的情况下，该端子能够是源端子，并且该晶体管管芯能够源极向下附接到金属块，诸如引线框的管芯座。
管芯模制复合物半导体封装晶体管管芯金属化模制背面半导体管芯电连接管芯座金属块引线框源端子耦合到暴露减薄源极嵌入邻近覆盖制造

[发明专利]具有过补偿区的超级结半导体器件-CN201410054288.0有效
发明人： F.希尔勒;U.瓦尔;A.维尔梅罗特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及具有过补偿区的超级结半导体器件。根据实施例，可以通过将第一杂质类型的杂质引入到第一杂质类型的第一半导体层的被露出表面中因此形成注入层，来制造超级结半导体器件。可以在被露出表面上提供第一杂质类型的第二半导体层并且可以穿过第二半导体层到第一半导体层中来蚀刻出沟槽。因而在沟槽之间形成具有从注入层获得的第一过补偿区的第一立柱。可以在沟槽中提供第二导电类型的第二立柱。第一和第二立柱形成具有竖向的第一节段的超级结结构，在该第一节段中第一过补偿区对第二立柱中的对应的节段进行过补偿。
具有补偿超级半导体器件

[发明专利]功率晶体管模型-CN201510665026.2在审
发明人： K.比伊克塔斯;G.内鲍尔;A.施勒格尔;U.瓦尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及功率晶体管模型。描述了功率晶体管模型，所述功率晶体管模型包括源极漏极路径、在所述源极漏极路径中的第一电流源和压控第二电流源，所述第一电流源和压控第二电流源模拟被模拟的功率晶体管的静态电压电流关系，其中压控第二电流源模拟功率晶体管的漂移区的非线性行为。
功率晶体管模型

[实用新型]半导体器件-CN201320675008.9有效
发明人： A.毛德;U.瓦尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，其包括：补偿区，其包括p区和n区；位于所述补偿区上的晶体管单元，所述晶体管单元包括栅电极，并且所述栅电极包括金属硅化物，其中所述栅电极具有比所述单元的节距的1/2小的宽度。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201320675635.2有效
发明人： A.毛德;U.瓦尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，其包括：补偿区，其包括p区和n区；位于所述补偿区上的包括栅电极的晶体管单元，所述栅电极被栅极电介质包围；以及布置在栅极电介质上的栅极金属化层。所述半导体器件还包括填满穿过栅电极和栅极金属化层之间的栅极电介质形成的接触孔的插塞，以便电连接栅电极和栅极金属化层。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201320675457.3有效
发明人： A.毛德;U.瓦尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，其包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；补偿区，其包括位于所述缓冲层上的p区和n区；以及位于所述补偿区上的晶体管单元，所述晶体管单元包括源区，本体区和栅极；其中所述p区和n区的至少一个包括缺陷半导体材料。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201320675405.6有效
发明人： A.毛德;U.瓦尔;W.凯因德尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，其包括：补偿区，其包括p区和n区；位于所述补偿区上的包括栅电极的多个晶体管单元；一个或多个用于电连接栅电极的互连，其中所述栅电极具有比所述单元的节距的1/2小的宽度。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201320675366.X有效
发明人： A.毛德;U.瓦尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，其包括：补偿区，其包括p区和n区；位于所述补偿区上的晶体管单元，所述晶体管单元包括源区、体区、栅电极和层间电介质；以及布置在层间电介质上的源极金属化层。所述半导体器件还包括填满穿过源区和体区以及源极金属化层之间的层间电介质形成的接触孔的插塞，以便电连接所述源区和体区以及所述源极金属化层。
半导体器件

[实用新型]半导体器件和包括该半导体器件的集成装置-CN201320675567.X有效
发明人： F.希尔勒;U.瓦尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件和包括该半导体器件的集成装置。所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；补偿区，其包括位于所述缓冲层上的p区和n区；以及位于所述补偿区上的多个晶体管单元，所述多个晶体管单元的每一个包括源区、体区、栅电极、以及至少在栅电极和体区之间形成的栅极电介质。所述栅电极具有等于或小于相邻晶体管单元之间的间距的三分之一的宽度。
半导体器件包括集成装置

[实用新型]半导体器件-CN201320675472.8有效
发明人： U.瓦尔;A.维尔梅罗特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；补偿区，其包括位于所述缓冲层上的p区和n区；以及位于所述多个晶体管单元结构的第一部分下面的第一p区的深度比位于所述多个晶体管单元结构的第二部分下面的第二p区的深度更深。
半导体器件

[实用新型]半导体器件及包括该半导体器件的集成装置-CN201320675145.2有效
发明人： U.瓦尔;A.维尔梅罗特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件及包括该半导体器件的集成装置。该半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的缓冲层；补偿区，所述补偿区包括位于所述缓冲层上的p区和n区；以及位于所述补偿区上的晶体管单元，所述晶体管单元包括源区、体区、栅电极、以及至少在栅电极和体区之间形成的栅极电介质。所述栅极电介质具有在12nm到50nm的范围内的厚度。
半导体器件包括集成装置

[实用新型]半导体器件-CN201320118047.9有效
发明人： K.霍赛尼;U.瓦尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件，包括：载体，其包括芯片岛和引线；半导体芯片，其包括半导体芯片第一表面上的第一电极和半导体芯片的与第一表面相对的第二表面上的第二电极，第二电极电连接到芯片岛；以及夹片，其包括第一接触区域和第二接触区域，所述第一接触区域被放置在所述引线上，所述第二接触区域被放置在所述半导体芯片的所述第一电极上，其中，所述载体的表面的一部分和所述夹片的表面的一部分未被封装材料覆盖，其中，所述载体和/或所述夹片的厚度至少是所述半导体芯片的厚度的两倍。
半导体器件

[发明专利]包括超结结构的半导体器件和制作方法-CN201310183710.8有效
发明人： F.希尔勒;U.瓦尔;H.韦伯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及包括超结结构的半导体器件和制作方法。一种半导体器件包括半导体主体，其具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。位于半导体主体中的超结结构包括在平行于第一表面的第一方向中交替地布置的第一导电类型的漂移区域和补偿结构。每个电荷补偿结构包括：与第一导电类型互补的第二导电类型的第一半导体区域，以及包括毗邻第一半导体区域的第二导电类型的第二半导体区域的第一沟槽。第一半导体区域和第一沟槽在垂直于第一表面的第二方向上一个接一个地布置。
包括结构半导体器件制作方法

[发明专利]具有功率晶体管和高电压器件的半导体装置-CN201310099109.0有效
发明人： F.希尔勒;A.毛德;U.瓦尔;J.魏尔斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有功率晶体管和高电压器件的半导体装置。一种半导体装置包括半导体主体和功率晶体管，该功率晶体管包括设置在半导体主体中的源极区、漏极区、主体区和漂移区，被设置成邻近主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极。该半导体装置进一步包括高电压器件，该高电压器件设置在处于半导体主体中的井状电介质结构内并且包括另外的漂移区。
具有功率晶体管电压器件半导体装置

[发明专利]变压器装置-CN201110292552.0无效
发明人： U.瓦尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及变压器装置。公开了一种变压器装置和一种用于生产变压器装置的方法。一种变压器装置，包括具有第一表面和第二表面的第一半导体主体；具有第一表面和第二表面的第二半导体主体，其中第一半导体主体设置在第二半导体主体上，使得第一半导体主体的第一表面面对第二半导体主体的第二表面；以及具有被感应地耦合的第一绕组和第二绕组的变压器，其中第一绕组被设置在第一半导体主体的第一表面的区域中，且第二绕组被设置在第二半导体主体的第一表面的区域中；其中第二半导体主体包括邻近第二绕组设置的第一孔洞。
变压器装置

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