[实用新型]横向高压半导体器件及其多阶场板

摘要

实用新型提供了一种横向高压半导体器件及其多阶场板。所述多阶场板包括设置于栅氧化层上的第一部和设置于场氧化层上的第二部；所述多阶场板还包括至少一个金属场板；所述至少一个金属场板设置于所述第二部上；所述第二部和与其相邻的金属场板之间设置有绝缘介质层并通过接触孔连接；所述第二部的靠近漏极的一端与所述漏极的距离大于所述第一金属场板的靠近漏极的一端与所述漏极的距离。两相邻的金属场板之间设置有绝缘介质层并通过接触孔连接；所述金属场板的靠近所述漏极的一端与所述漏极的距离大于在该金属场板上方并与该金属场板相邻的金属场板的靠近所述漏极的一端与所述漏极的距离。本实用新型可以使得横向高压半导体器件的击穿电压更高。

主权项

一种应用于横向高压半导体器件的多阶场板，所述横向高压半导体器件包括源极、位于所述源极上方的栅氧化层、场氧化层和漏极，所述多阶场板包括多晶硅场板，所述多晶硅场板包括设置于所述栅氧化层上的第一部和设置于所述场氧化层上的第二部，其特征在于，所述多阶场板还包括第一金属场板；所述第一金属场板设置于所述多晶硅场板的第二部上；所述多晶硅场板的第二部和所述第一金属场板之间设置有绝缘介质层并通过该绝缘介质层中的接触孔连接；所述多晶硅场板的第二部的靠近所述漏极的一端与所述漏极的距离大于所述第一金属场板的靠近漏极的一端与所述漏极的距离。