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[实用新型]横向高压半导体器件及其多阶场板-CN201320598229.0有效
发明人：潘光燃;石金成;高振杰;文燕;王焜 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实用新型提供了一种横向高压半导体器件及其多阶场板。所述多阶场板包括设置于栅氧化层上的第一部和设置于场氧化层上的第二部；所述多阶场板还包括至少一个金属场板；所述至少一个金属场板设置于所述第二部上；所述第二部和与其相邻的金属场板之间设置有绝缘介质层并通过接触孔连接；所述第二部的靠近漏极的一端与所述漏极的距离大于所述第一金属场板的靠近漏极的一端与所述漏极的距离。两相邻的金属场板之间设置有绝缘介质层并通过接触孔连接；所述金属场板的靠近所述漏极的一端与所述漏极的距离大于在该金属场板上方并与该金属场板相邻的金属场板的靠近所述漏极的一端与所述漏极的距离。
横向高压半导体器件及其多阶场板

[发明专利]异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管-CN200710023524.2无效
发明人：陈军宁;柯导明;代月花;高珊;徐超;孟坚;吴秀龙 -专利权人：安徽大学
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征是设置源栅和漏栅的异质双栅结构，由第一级场极板和第二级场极板构成多阶梯场极板，源栅、漏栅、第一级场极板和第二级场极板依次相连；源和漏分别设置在沟道阱区和阱漂移区上；栅氧化层设在源栅、漏栅与沟道阱区之间，在沟道阱区上设有阱接触孔；场氧化层在第一级场极板、第二级场极板以及阱漂移区之间；氧化层覆盖在多阶梯场极板之上；沟道阱区和阱漂移区均位于衬底之上。
异质栅多阶梯极板横向扩散金属氧化物半导体

[发明专利]一种结合注意力机制和部分亲和域场的人体姿态估计方法-CN202010614346.6在审
发明人：卢健;杨腾飞;周嫣然;罗毛欣;李哲 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种结合注意力机制和部分亲和域场的人体姿态估计方法，首先获取人体姿态估计的公用数据集；将公用数据集中的待测图像输入到沙漏堆栈网络，通过多语境注意力模型得到人体全局注意力图；将人体全局注意力图输入到多阶段双分支网络；采用损失函数引导多阶段双分支网络对人体全局注意力图进行预测并迭代，直至多阶段双分支网络收敛，获得人体局部注意力图和部分亲和域场；最后，对人体局部注意力图和部分亲和域场进行聚类，得到待测图像中人体姿态估计结果本发明一种结合注意力机制和部分亲和域场的人体姿态估计方法，解决了现有技术中存在的人体姿态估计方法对复杂连续姿态的鲁棒性较差的问题。
一种结合注意力机制部分亲和人体姿态估计方法

[发明专利]一种航天发射场多阶段任务可靠性仿真评估方法-CN202210705565.4在审
发明人：陈洪;张博;刘宇;王凯;任松;甘朝虹;黄洪钟 -专利权人：中国人民解放军63796部队;电子科技大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种航天发射场多阶段任务可靠性仿真评估方法，属于可靠性技术领域。本发明定制化构建航天发射场多阶段任务可靠性模型；输入航天发射场多阶段任务可靠性模型中需要使用到的参数；结合参与任务的设备为可修或不可修的情况，采用蒙特卡洛仿真法对整个多阶段任务进行仿真分析，通过仿真确定所有设备单元故障事件和维修事件的时序关系
一种航天发射场阶段任务可靠性仿真评估方法

[发明专利]一种光谱检测方法及系统-CN202010294923.8在审
发明人：杨琦;许一力 -专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种光谱检测方法及系统，首先通过小孔光阑对被检测物体表面的散射光进行空间滤波，得到球面波光场信号；接着利用色散元件对球面波光场信号进行分光处理，形成多阶光学信号；进一步将多阶光学信号经成像系统成像
一种光谱检测方法系统

[发明专利]用于在具有非对称梯度的磁共振成像中进行伴随场校正的系统和方法-CN201680031013.2在审
发明人：陶晟臻;J·D·奇萨思科;Y·舒;P·T·韦弗斯;M·A·伯恩斯特因 -专利权人：梅约医学教育与研究基金会
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：提供了用于在实施非对称磁场梯度的磁共振成像(“MRI”)系统中执行伴随场校正的系统和方法。一般而言，本文所描述的系统和方法可以针对诸如零阶、一阶和二阶伴随场之类的多阶伴随场的效应进行校正。
用于具有对称梯度磁共振成像进行伴随校正系统方法

[发明专利]一种风场风速预测方法、装置及存储介质-CN202211272558.6有效
发明人：赵昕玥;李旭涛;叶锐;叶允明;齐放;孙峣;朱燕 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院）;中广核风电有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种风场风速预测方法、装置及存储介质，方法包括：获取风场的历史气象要素数据，从历史气象要素数据中分离出满足物理约束的数据；将满足物理约束的数据输入偏微分神经网络模块，提取各个气象要素变量的多阶偏导数，并对下一时间步的风场风速进行预测，获得第一预测风速；将各个气象要素变量的多阶偏导数输入动力源分离模块，结合大气运动方程组计算风场中大气气团的受热数据和受力数据；将受热数据、受力数据和历史气象要素数据输入数据驱动模块，对下一时间步的风场风速进行预测，获得第二预测风速；根据第一预测风速和第二预测风速确定风场的最终预测风速。本发明的技术方案能够提高风场风速的预测准确性。
一种风速预测方法装置存储介质

[发明专利]一种光谱检测方法及系统-CN202010294439.5在审
发明人：杨琦;许一力 -专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种光谱检测方法及系统，首先通过小孔光阑对被检测物体表面的散射光进行空间滤波，得到球面波光场信号；接着利用色散元件对球面波光场信号进行分光处理，形成多阶光学信号；进一步将多阶光学信号经成像系统成像
一种光谱检测方法系统

[发明专利]多阶衍射透镜的消色差方法及消色差多阶衍射透镜-CN202111043831.3有效
发明人：李涛;肖行健;祝世宁 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多阶衍射透镜的消色差方法及消色差多阶衍射透镜，首先根据初始多阶衍射透镜的环数和灰度阶数，设计光经过多阶衍射透镜后在焦点的光场强度的约束优化问题，使每一个波长处的聚焦光场一致，结合全局优化算法和搜索算法计算所述的约束优化问题的准全局最优解，然后进行平滑处理和梯度下降处理，得到实现消色差的多阶衍射透镜；本发明的消色差多阶衍射透镜每一环高度的灰度阶数分布的单元结构深宽比最大值不超过2:1。
衍射透镜色差方法

[发明专利]风光荷多阶段典型场景的双向优化方法、装置、设备及存储介质-CN202110380662.6在审
发明人：吴通华;戴魏;李新东;侯小凡;于洋;张骏;俞斌;吴丹;郑坤承;赵志强;查道军;吴红斌;何叶;乔一达 -专利权人：国电南瑞科技股份有限公司;国网电力科学研究院有限公司;南瑞集团有限公司;国网安徽省电力有限公司;国家电网有限公司;合肥工业大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种风光荷多阶段典型场景的双向优化方法、装置、设备及存储介质，属于电力系统技术领域，其包括：生成风光荷出力样本集；生成阶段内典型日场景；生成包含更多时刻场景的多阶段典型场景集；构建场景特征向量；生成关联度矩阵；基于关联度矩阵采用最优消减算法对多阶段典型场景集进行场景缩减，直至多阶段典型场景集内剩余场景数量达到预设值，获取阶段间典型场景；根据阶段间典型场景，生成优化后的多阶段典型场景集。本发明能够针对配电网运行中的不确定性，从多维度多变量角度出发，解决了单一场景实用性受到限制的问题，实现了多维场景数据的降维处理，提高了典型场景生成效率。
风光阶段典型场景双向优化方法装置设备存储介质

[发明专利]一种针对水聚干扰现象的规律分析方法及系统-CN202111078805.4在审
发明人：王纪伟;田玲钰;张殿伟;李倩文;陈刚;李东晖 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：建立关于待研究油田区域的三维精细地质模型；根据当前油田区域的流体特征、温压变化条件和动态生产参数，将三维精细地质模型转换为相应的流线数值模型；将流线数值模型还原为包括水驱阶段、聚驱阶段以及水聚同驱下不同注聚PV数在内的多阶段流线场；对多阶段流线场进行综合分析。
一种针对干扰现象规律分析方法系统

[发明专利]一种有源匀场线圈的解耦方法和装置-CN201310391000.4有效
发明人：杨文晖;王铮;魏树峰;吕行 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G01R33/385 文献下载
摘要：一种有源匀场线圈的解耦方法，利用连接在有源匀场线圈和匀场电源之间的解耦单元，消除或减小匀场线圈之间的耦合电压，达到有源匀场线圈之间的解耦目的。本发明解耦装置包括：用于产生多阶磁场分量的匀场线圈（102），一组与一阶匀场线圈（404）相连的一次解耦绕组线圈（402），一组与高阶匀场线圈（405）相连的二次解耦绕组线圈（403），以及匀场电源（105所述的匀场线圈（102）中，由一阶匀场线圈（404）和高阶匀场线圈（405）之间的互感产生耦合电压，该电压与一次解耦绕组（402）和二次解耦绕组（403）之间的感应电压抵消。
一种有源线圈方法装置

[发明专利]一种磁屏蔽筒内轴向匀场线圈的设计方法-CN202111518763.1有效
发明人：周向阳;赵风文;王维乾;谢晓旋 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本发明公开一种磁屏蔽筒内轴向匀场线圈的设计方法，首先，结合磁场函数，磁屏蔽筒的边界条件和镜像法确定了磁屏蔽筒中轴向线圈的连续面电流密度产生的磁场表达式。其次，通过目标场法求解出未知的面电流密度系数，然后离散流函数等值线得到线圈的初始绕组；最后结合多阶粒子群优化算法在初始绕组附近的尺寸空间中优化线圈的位置以减少目标区域的磁场偏差。本发明与现有技术有两点：一是在设计过程中考虑了磁屏蔽层的有限磁导率和厚度，可以准确分析线圈与高磁导率屏蔽材料之间的耦合效应；二是可以通过多阶粒子群优化算法智能获取性能最佳的线圈参数，减少了在目标场法中使用较少的离散导线来近似连续面电流密度引起磁场产生偏差问题
一种屏蔽轴向线圈设计方法

[发明专利]具有改进性能结构的屏蔽栅沟槽式半导体功率器件-CN202211740268.X在审
发明人：徐琳 -专利权人：娜美半导体有限公司;深圳市迪浦电子有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的、具有改进的比导通电阻和雪崩能力结构的屏蔽栅沟槽式(SGT)MOSFET，所述的SGT MOSFET包括一个有源区和一个边缘终端区，其中，位于氧化层电荷平衡区(OCB)的外延层为多阶梯外延(MSE)层，边缘终端区具有多个沟槽场板，围绕栅沟槽底部周围的电场降低区的掺杂浓度低于MSE层的底部外延层。此外，在一些优选实施例中，在OCB区引入多阶梯侧壁氧化层(MSO)结构，并在OCB区下方的缓冲区中引入掺杂浓度低于MSE层的缓冲外延层，以进一步降低器件的比导通电阻、增强器件的坚固性。
具有改进性能结构屏蔽沟槽半导体功率器件

[实用新型]一种新型高精度高多阶HDI高密度线路板-CN202022553432.9有效
发明人：王东府;赵俊;张志强 -专利权人：深圳市八达通电路科技有限公司
申请日： 2020-11-07 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型高精度高多阶HDI高密度线路板，所述多阶HDI线路板一侧对角处对称固定有第一连接壳，且多阶HDI线路板另一侧对角处对称固定有第二连接壳，所述多阶HDI线路板两侧对称设有第一延伸板，且多阶HDI线路板另外两侧对称设有第二延伸板，所述第二连接壳内部设有可驱动第一延伸板和第二延伸板滑动的转动机构，此种新型高精度高多阶HDI高密度线路板，在第一延伸板和第二延伸板的作用下，实现了对多阶HDI线路板边缘防护的同时方便调节安装的作用，在转动机构的作用下，为第一延伸板和第二延伸板的移动提供动能，方便调节安装位置，相对于现有的技术，加强了对于多阶HDI线路板边缘的保护，且方便调节进行安装。
一种新型高精度高多阶 hdi 高密度线路板

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