[发明专利]半导体器件和半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201310646204.8 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104701164A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件和半导体器件的制作方法，其中，半导体器件的制作方法，包括：提供具有栅极结构的半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成偏移侧墙，所述偏移侧墙位于栅极结构两侧，且暴露出栅极结构两侧的半导体衬底表面；以所述偏移侧墙为掩膜，刻蚀暴露出的半导体衬底表面，在半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽侧壁形成隔离层；去除部分厚度的偏移侧墙，暴露出凹槽和栅极结构之间的半导体衬底表面；在所述凹槽内形成填充层，且所述填充层的顶部高于隔离层顶部；在所述填充层内形成掺杂区。本发明形成的隔离层避免掺杂区之间相互渗透，防止半导体器件发生源漏穿通问题，抑制短沟道效应，提高半导体器件的击穿电压，优化半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构；在所述半导体衬底表面形成偏移侧墙，所述偏移侧墙位于栅极结构两侧，且暴露出栅极结构两侧的半导体衬底表面；以所述偏移侧墙为掩膜，刻蚀暴露出的半导体衬底表面，在半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽侧壁形成隔离层；去除部分厚度的偏移侧墙，暴露出凹槽和栅极结构之间的半导体衬底表面；在所述凹槽内形成填充层，所述填充层覆盖所述暴露出的半导体衬底表面，且所述填充层的顶部高于隔离层顶部；在所述填充层内形成掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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