[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310482857.7 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103500763A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215124 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法。该Ⅲ族氮化物半导体器件包括生长在衬底上的氮化物半导体层和钝化层，还包括源极和漏极以及在源极和漏极之间的栅极。其中，上述氮化物半导体层包括氮化物成核层、氮化物缓冲层、氮化物沟道层、氮化物势垒层；上述钝化层在栅极区域被刻蚀至暴露出氮化物势垒层，在栅极处形成凹槽。本发明氮化物势垒层和栅极金属层之间采用复合介质层，包括从衬底方向依次形成的氮化物介质层、氮氧化物介质层和氧化物介质层的组合结构。复合介质层结构不会引起界面态密度的增加，与传统单层氧化物介质层的Ⅲ族氮化物半导体器件相比，可以同时降低半导体器件的漏电和电流崩塌效应。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Ⅲ族氮化物半导体器件，其特征在于，所述Ⅲ族氮化物半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的氮化物半导体层，所述氮化物半导体层包括从衬底方向依次形成的氮化物成核层、氮化物缓冲层、氮化物沟道层、氮化物势垒层；位于所述氮化物半导体层上的钝化层，所述钝化层为氮化硅、硅铝氮、二氧化硅中的一种或多种的组合，所述钝化层在栅极区域被刻蚀至暴露出氮化物势垒层，形成栅极凹槽；位于所述钝化层和栅极凹槽上的复合介质层，所述复合介质层包括一个或多个从衬底方向依次形成的氮化物介质层、氮氧化物介质层和氧化物介质层中的两种或两种以上的组合结构；位于所述氮化物势垒层上源极区域和漏极区域的源极和漏极，以及在源极和漏极之间位于所述复合介质层上对应栅极区域的栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶湛半导体有限公司，未经苏州晶湛半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310482857.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
