[发明专利]化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310102456.4 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103367427A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 镰田阳一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陈炜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法。根据实施例的化合物半导体器件包括：衬底；电子渡越层和电子供给层，形成在衬底上面；栅电极、源电极和漏电极，形成在电子供给层上面；以及第一铁掺杂层，设置在衬底和电子渡越层之间的在平面图中对应于栅电极的位置的区域，第一铁掺杂层掺杂有铁以降低栅电极下方生成的二维电子气。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；电子渡越层和电子供给层，形成在衬底上面；栅电极、源电极和漏电极，形成在电子供给层上面；以及第一铁掺杂层，设置在衬底和电子渡越层之间的在平面图中对应于栅电极的位置的区域，第一铁掺杂层掺杂有铁以降低栅电极下方生成的二维电子气。
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