[发明专利]功率半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210585300.1 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187378A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李宪福;金基世 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，所述功率半导体器件包括：多个第一电极和多个第二电极、在第一绝缘层上并且与所述多个第一电极接触的多个第一通孔电极、在所述第一绝缘层上并且与所述多个第二电极接触的多个第二通孔电极、与所述多个第一通孔电极接触的第一电极焊盘、与所述多个第二通孔电极接触的第二电极焊盘、在第二绝缘层上并且与所述第一电极焊盘接触的多个第三通孔电极、在所述第二绝缘层上并且与所述第二电极焊盘接触的多个第四通孔电极、与所述多个第三通孔电极接触的第三电极焊盘、以及与所述多个第四通孔电极接触的第四电极焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，包括：多个第一电极和多个第二电极，交替布置在外延结构上；第一绝缘层，其在所述外延结构之上，所述第一绝缘层包括彼此交替布置的至少一个第一区域和至少一个第二区域；多个第一通孔电极，其在所述第一绝缘层的所述第一区域上，所述多个第一通孔电极与所述多个第一电极接触；多个第二通孔电极，其在所述第一绝缘层的所述第二区域上，所述多个第二通孔电极与所述多个第二电极接触；至少一个第一电极焊盘，其在所述第一区域上，所述至少一个第一电极焊盘与所述多个第一通孔电极接触；至少一个第二电极焊盘，其在所述第二区域上，所述至少一个第二电极焊盘与所述多个第二通孔电极接触；第二绝缘层，其在所述至少一个第一电极焊盘和所述至少一个第二电极焊盘之上，所述第二绝缘层包括第三区域和第四区域；多个第三通孔电极，其在所述第二绝缘层的所述第三区域上，所述多个第三通孔电极与所述至少一个第一电极焊盘接触；多个第四通孔电极，其在所述第二绝缘层的所述第四区域上，所述多个第四通孔电极与所述至少一个第二电极焊盘接触；至少一个第三电极焊盘，其在所述第三区域上，所述至少一个第三电极焊盘与所述多个第三通孔电极接触；以及至少一个第四电极焊盘，其布置在所述第四区域上，所述至少一个第四电极焊盘与所述多个第四通孔电极接触。
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