[发明专利]功率半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件，包括：

多个第一电极和多个第二电极，交替布置在外延结构上；

第一绝缘层，其在所述外延结构之上，所述第一绝缘层包括彼此交替布置的至少一个第一区域和至少一个第二区域；

多个第一通孔电极，其在所述第一绝缘层的所述第一区域上，所述多个第一通孔电极与所述多个第一电极接触；

多个第二通孔电极，其在所述第一绝缘层的所述第二区域上，所述多个第二通孔电极与所述多个第二电极接触；

至少一个第一电极焊盘，其在所述第一区域上，所述至少一个第一电极焊盘与所述多个第一通孔电极接触；

至少一个第二电极焊盘，其在所述第二区域上，所述至少一个第二电极焊盘与所述多个第二通孔电极接触；

第二绝缘层，其在所述至少一个第一电极焊盘和所述至少一个第二电极焊盘之上，所述第二绝缘层包括第三区域和第四区域；

多个第三通孔电极，其在所述第二绝缘层的所述第三区域上，所述多个第三通孔电极与所述至少一个第一电极焊盘接触；

多个第四通孔电极，其在所述第二绝缘层的所述第四区域上，所述多个第四通孔电极与所述至少一个第二电极焊盘接触；

至少一个第三电极焊盘，其在所述第三区域上，所述至少一个第三电极焊盘与所述多个第三通孔电极接触；以及

至少一个第四电极焊盘，其布置在所述第四区域上，所述至少一个第四电极焊盘与所述多个第四通孔电极接触。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中：

所述多个第一通孔电极和所述多个第二通孔电极的每一个具有第一尺寸，并且

所述多个第三通孔电极和所述多个第四通孔电极的每一个具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中：

所述多个第一通孔电极和所述多个第二通孔电极的每一个具有第一尺寸，

所述多个第三通孔电极的每一个具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸，并且

所述多个第四通孔电极的每一个具有第三尺寸，所述第三尺寸大于所述第一尺寸并且不同于所述第二尺寸。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述多个第一电极的每一个具有从所述外延结构的一边到相对边变宽的锥形结构。

5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其中所述多个第二电极的每一个具有从所述外延结构的所述相对边到所述一边变宽的锥形结构。

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其中所述多个第二通孔电极的每一个具有在所述第二区域内朝向所述一边变宽并且与所述多个第二电极的锥形结构相对应的梯形形状。

7.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其中所述多个第一通孔电极的每一个具有在所述第一区域内朝向所述相对边变宽并且与所述多个第一电极的锥形结构相对应的梯形形状。

8.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述第一区域和所述第二区域关于经过所述外延结构的中心的第一直线彼此对称地布置。

9.根据权利要求8所述的功率半导体器件，其中所述第三区域和所述第四区域关于经过所述外延结构的中心的第二直线彼此对称地布置，所述第二直线与所述第一直线垂直。

10.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述第一区域和所述第二区域的每一个具有主轴，该主轴在所述第一绝缘层中与所述多个第一电极和所述多个第二电极的主轴交叉的方向上延伸。

11.根据权利要求10所述的功率半导体器件，其中所述第三区域和所述第四区域的每一个具有主轴，该主轴在所述第二绝缘层中与所述至少一个第一电极焊盘和所述至少一个第二电极焊盘的主轴交叉的方向上延伸。