[发明专利]功率半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 201210585300.1 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103187378A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 李宪福;金基世 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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搜索关键词: | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年12月29日在韩国知识产权局提交的题为“功率半导体器件及其制造方法”的韩国专利申请第10-2011-1046206号的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及功率半导体器件及其制造方法。
背景技术
功率半导体器件可以由硅制成。由于硅的物理限制,使用氮化镓(GaN)基材料的功率半导体器件可以被使用。GaN基材料具有比硅的能隙几乎大三倍的能隙。此外,GaN基材料可以具有高热稳定性、高化学稳定性、高电子饱和速度等。因此,GaN基材料不仅可以适于光学器件也可以适于用于高频和高输出的电子器件。
发明内容
各实施例涉及功率半导体器件及其制造方法。
可以通过提供一种功率半导体器件来实现各实施例,所述功率半导体器件包括:多个第一电极和多个第二电极,交替布置在外延结构上;第一绝缘层,其在所述外延结构之上,所述第一绝缘层包括彼此交替布置的至少一个第一区域和至少一个第二区域;多个第一通孔电极,其在所述第一绝缘层的所述第一区域上,所述多个第一通孔电极与所述多个第一电极接触;多个第二通孔电极,其在所述第一绝缘层的所述第二区域上,所述多个第二通孔电极与所述多个第二电极接触;至少一个第一电极焊盘,其在所述第一区域上,所述至少一个第一电极焊盘与所述多个第一通孔电极接触;至少一个第二电极焊盘,其在所述第二区域上,所述至少一个第二电极焊盘与所述多个第二通孔电极接触;第二绝缘层,其在所述至少一个第一电极焊盘和所述至少一个第二电极焊盘之上,所述第二绝缘层包括第三区域和第四区域;多个第三通孔电极,其在所述第二绝缘层的所述第三区域上,所述多个第三通孔电极与所述至少一个第一电极焊盘接触;多个第四通孔电极,其在所述第二绝缘层的所述第四区域上,所述多个第四通孔电极与所述至少一个第二电极焊盘接触;至少一个第三电极焊盘,其在所述第三区域上,所述至少一个第三电极焊盘与所述多个第三通孔电极接触;以及至少一个第四电极焊盘,其布置在所述第四区域上,所述至少一个第四电极焊盘与所述多个第四通孔电极接触。
所述多个第一通孔电极和所述多个第二通孔电极的每一个可以具有第一尺寸,并且所述多个第三通孔电极和所述多个第四通孔电极的每一个可以具有第二尺寸,所述第二尺寸大于所述第一尺寸。
所述多个第一通孔电极和所述多个第二通孔电极的每一个可以具有第一尺寸,所述多个第三通孔电极的每一个可以具有第二尺寸,所述第二尺寸大于所述第一尺寸,并且所述多个第四通孔电极的每一个可以具有第三尺寸,所述第三尺寸大于所述第一尺寸并且不同于所述第二尺寸。
所述多个第一电极的每一个可以具有从所述外延结构的一边到相对边变宽的锥形结构。
所述多个第二电极的每一个可以具有从所述外延结构的所述相对边到所述一边变宽的锥形结构。
所述多个第二通孔电极的每一个可以具有在所述第二区域内向所述一边变宽并且与所述多个第二电极的锥形结构相对应的梯形形状。
所述多个第一通孔电极的每一个可以具有在所述第一区域内朝向所述相对边变宽并且与所述多个第一电极的锥形结构相对应的梯形形状。
所述第一区域和所述第二区域可以关于经过所述外延结构的中心的第一直线彼此对称地布置。
所述第三区域和所述第四区域可以关于经过所述外延结构的中心的第二直线彼此对称地布置,所述第二直线与所述第一直线垂直。
所述第一区域和所述第二区域的每一个可以具有主轴,该主轴在所述第一绝缘层中与所述多个第一电极和所述多个第二电极的主轴交叉的方向上延伸。
所述第三区域和所述第四区域的每一个可以具有主轴,该主轴在所述第二绝缘层中与所述至少一个第一电极焊盘和所述至少一个第二电极焊盘的主轴交叉的方向上延伸。
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