[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是改善使用氧化物半导体的薄膜晶体管的场效应迁移率。另一个目的是即使在具有改善了场效应迁移率的薄膜晶体管中也能够抑制在截止电流上的增加。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，通过将具有比氧化物半导体层更高导电率和更小厚度的半导体层形成于氧化物半导体层和栅绝缘层之间，可以改善薄膜晶体管的场效应迁移率，并且可以抑制截止电流上的增加。

主权项

一种半导体器件，包括：栅电极；在所述栅电极的上方的栅绝缘膜；在所述栅电极的上方的包含铟的第一非单晶氧化物半导体层，其中所述栅绝缘膜夹在所述栅电极和所述第一非单晶氧化物半导体层之间；在所述第一非单晶氧化物半导体层的上方的包含铟的第二非单晶氧化物半导体层，所述第二非单晶氧化物半导体层的导电率小于所述第一非单晶氧化物半导体层的导电率；在所述第二非单晶氧化物半导体层的上方且与所述第二非单晶氧化物半导体层电接触的源电极；在所述第二非单晶氧化物半导体层的上方且与所述第二非单晶氧化物半导体层电接触的漏电极；以及在所述第二非单晶氧化物半导体层、所述源电极和所述漏电极的上方的包含硅的绝缘膜，其中，所述第二非单晶氧化物半导体层的上表面包括位于所述源电极和所述漏电极之间的凹部，使得所述源电极和所述漏电极之间的所述第二非单晶氧化物半导体层的厚度小于所述源电极和所述漏电极下方的所述第二非单晶氧化物半导体层的厚度，并且其中，所述绝缘膜与所述源电极和所述漏电极之间的所述第二非单晶氧化物半导体层的所述上表面接触。