[发明专利]一种芯片尺寸封装功率器件的结构无效
| 申请号： | 201210392878.5 | 申请日： | 2012-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103730497A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 苏冠创 | 申请（专利权）人： | 深圳市力振半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区粤兴三*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片尺寸封装的功率场效应晶体管器件的新结构，包括以下特征：器件的源极，漏极和栅极金属垫层都在芯片的表面上，在源极金属垫层下是横向与纵向场效应晶体管集成在一起，在漏极和栅极金属垫层下是纵向晶体管结构并有导电深沟槽把漏区连接至衬底，导通时，电流从漏极或栅极金属垫层流向源极金属垫层有两个路径：第一路径是纵向地经导电深沟槽流向漏极或栅极处衬底，然后横向地流向源极衬底，接着向上流至源极金属垫层；第二路径是从漏极金属垫层流向漏极或栅极金属垫层下的漏区，然后横向地流经导电沟道，金属插塞至源极金属垫层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 尺寸 封装 功率 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种芯片尺寸封装功率器件的结构包括以下部分：(1)器件的源极金属垫层，漏极金属垫层和栅极金属垫层都在芯片的表面上；(2)在源极金属垫层下是横向场效应晶体管与纵向场效应晶体管集成在一起；(3)至少有一漏极金属垫层，在它之下是横向场效应晶体管结构并有导电深沟槽把外延层表面的漏区连接至衬底；(4)在栅极金属垫层下是横向场效应晶体管结构并有导电深沟槽把外延层表面的漏区连接至衬底，栅极金属垫层下的漏区电流是透过漏区金属插塞从栅极金属垫层外的漏极金属引进；(5)在源极金属垫层，漏极金属垫层和栅极金属垫层上可有钝化层，钝化层中有开孔用来连接焊球或金属打线；(6)完成前度工序后的硅片不用研磨背面，也不用在背面沉积多层金属。
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