[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法以及电子电路无效
| 申请号： | 201210385127.0 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103094315A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 西森理人;多木俊裕;吉川俊英 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;H02M5/458;H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电子电路。化合物半导体器件包括：其中形成有载流子的第一化合物半导体层；设置在第一化合物半导体层上方的供给载流子的第二化合物半导体层；以及设置在第二化合物半导体层上方的第三化合物半导体层，其中第三化合物半导体层包括载流子浓度高于第二化合物半导体层的载流子浓度的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 以及 电子电路 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：其中形成有载流子的第一化合物半导体层；设置在所述第一化合物半导体层上方的供给所述载流子的第二化合物半导体层；以及设置在所述第二化合物半导体层上方的第三化合物半导体层，其中所述第三化合物半导体层包括载流子浓度高于所述第二化合物半导体层的载流子浓度的区域。
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