[发明专利]一种半导体器件、集成电路及它们的制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201210276375.1 | 申请日： | 2012-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN103579316A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件、集成电路及它们的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该半导体器件，包括半导体衬底，以及形成于半导体衬底上的栅氧化层和栅极，所述栅氧化层包括两部分，分别为位于栅极的宽度边缘区域的第一部分栅氧化层和位于栅极的中间区域的第二部分栅氧化层，其中，所述第一部分栅氧化层的厚度大于所述第二部分栅氧化层的厚度。本发明的集成电路，使用了上述半导体器件。本发明还提供了该半导体器件和集成电路的制造方法，以及使用该集成电路的电子装置。本发明可以有效减小半导体器件、集成电路中的器件尤其是内核器件的窄沟道效应，提高半导体器件、使用该半导体器件的集成电路及使用该集成电路的电子装置的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 集成电路 它们 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括半导体衬底，以及形成于所述半导体衬底上的栅氧化层和栅极，其特征在于，所述栅氧化层包括两部分，分别为位于所述栅极的宽度边缘区域的第一部分栅氧化层和位于所述栅极的中间区域的第二部分栅氧化层，其中，所述第一部分栅氧化层的厚度大于所述第二部分栅氧化层的厚度。
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