[发明专利]功率MOSFET结构及方法有效
| 申请号： | 201210236232.8 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103426916B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王培林;E·D·德弗莱萨特;李文漪 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 功率MOSFET包含具有上表面的半导体衬底，在衬底中具有第一深度的空腔，其侧壁延伸至上表面，在空腔中的介电衬里，在介电衬里内并延伸至上表面或在上表面上延伸的栅导体，在衬底内且具有第二深度的体区(多个)，其通过第一厚度的介电衬里的第一部分(多个)与下部空腔区域的栅导体分离，以及在体区(多个)内并延伸至小于第二深度的第三深度的源区(多个)。源区(多个)通过至少部分地大于第一厚度的第二厚度的介电衬里的第二部分与栅导体分离。介电衬里在第三深度处或小于第三深度处具有横向延伸进入栅导体并远离体区(多个)的突起。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅场效应晶体管，包含：包含衬底的半导体，所述衬底具有第一表面；在衬底中形成的空腔，其具有从第一表面延伸至第一深度的侧壁；空腔中的介电衬里；介电衬里内的栅导体，其至少填充所述空腔并在第一表面上延伸第一距离；位于衬底内的一个或多个体区，其从第一表面延伸至第二深度并横向靠近栅导体但部分地通过介电衬里的具有第一横向厚度的第一部分与栅导体分离；以及位于体区内的一个或多个源区，其从第一表面延伸并在第一表面下小于第二深度的第三深度处具有下部末端，其中源区通过介电衬里的、具有至少部分地比第一横向厚度大的第二横向厚度的第二部分与栅导体分离，其中介电衬里包含介电突起，介电突起远离体区地横向延伸进入栅导体并延伸到第一表面下的第四深度，其中靠近侧壁的源区通过弯曲形状耦合至第一表面。
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