[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210050158.0 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN102969335B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李定植 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张浴月,郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据示例性实施例的一种半导体器件包括衬底；中间层，包括第一半导体层和第二半导体层，其中该第一半导体层设置在衬底上且包括掺杂有第一掺杂剂的AlxGa1‑xN且0≤x≤1，以及该第二半导体层设置在第一半导体层上且包括非掺杂氮化镓(GaN)；以及驱动单元，设置在第二半导体层上。根据本发明实施例的半导体器件的中间层可以抑制由于压电场效应引起的电流漏泄。结果是，能够可靠运行驱动单元。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；中间层，包括：第一半导体层，设置在所述衬底上且包括掺杂有第一导电类型掺杂剂的AlxGa1‑xN且0≤x≤1；以及第二半导体层，设置在所述第一半导体层上且包括非掺杂氮化镓(GaN)；驱动单元，设置在所述第二半导体层上；第三缓冲层，设置在所述衬底与所述中间层之间，并且该第三缓冲层包括非掺杂AlxGa1‑xN且0≤x≤1；以及第四缓冲层，设置在所述第三缓冲层与所述中间层之间且包括非掺杂氮化镓(GaN)。
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