[发明专利]半导体器件的制作方法有效
申请号: | 201110333222.1 | 申请日: | 2011-10-28 |
公开(公告)号: | CN103094209A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 朱普磊;陈枫;蒋莉;黎铭琦;曹均助 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/8238 | 分类号: | H01L21/8238;H01L21/28 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;顾珊 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法,包括:提供包含第一晶体管区和第二晶体管区的半导体衬底,第一晶体管区和第二晶体管区内分别形成有第一伪栅极和第二伪栅极,在半导体衬底上形成有覆盖第一伪栅极和第二伪栅极的盖帽层,且在第一伪栅极和第二伪栅极之间填充有层间介电层;去除第一晶体管区内的盖帽层的一部分以暴露第一伪栅极;去除第一伪栅极以形成第一填充开口;在层间介电层和盖帽层上以及第一填充开口内形成第一金属层;执行化学机械研磨工艺并停止在第二伪栅极上的盖帽层中。本发明的方法可以防止化学机械研磨过程中形成的浆状研磨残留物粘附在第二伪栅极表面,避免其成为后续工艺的缺陷源,阻碍后续形成第二金属栅极。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件的制作方法,包括:a)提供半导体衬底,所述半导体衬底包含第一晶体管区和第二晶体管区,所述第一晶体管区和所述第二晶体管区内分别形成有第一伪栅极和第二伪栅极,在所述半导体衬底上形成有覆盖所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的盖帽层,且在所述第一伪栅极和所述第二伪栅极之间填充有层间介电层;b)去除所述第一晶体管区内的所述盖帽层的一部分,以暴露所述第一伪栅极; c)去除所述第一伪栅极,以形成第一填充开口; d)在所述层间介电层和所述盖帽层上以及所述第一填充开口内形成第一金属层;以及e)执行化学机械研磨工艺并停止在所述第二伪栅极上的所述盖帽层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造