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[发明专利]研磨垫及其形成方法、研磨监测方法-CN201610297881.7有效
发明人： 曹均助;刘洪涛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：一种研磨垫及其形成方法、研磨监测方法，其中研磨垫包括：研磨层，所述研磨层具有相对的第三表面和第四表面，所述第四表面用于研磨待研磨面；阻挡层，嵌在研磨层内，所述阻挡层与第四表面之间的距离大于零，所述阻挡层适于给出更换研磨垫的信号。由于所述研磨垫具有阻挡层，所述阻挡层适于给出更换研磨垫的信号，使得对研磨垫的有效利用率最大化。
研磨及其形成方法监测

[发明专利]一种形成金属互连结构的方法-CN201410386315.4有效
发明人： 曹均助;杨俊;邵群;刘洪涛;钱志刚;刘浩;胡宗福 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成金属互连结构的方法，包括：提供半导体衬底以及低K介电层、氧化物硬掩膜层和金属硬掩膜层，所述低K介电层、氧化物硬掩膜层和金属硬掩膜层中形成有沟槽，所述沟槽中和所述金属硬掩膜层上形成有扩散阻挡层和金属层；执行第一化学机械研磨以去除所述沟槽外的金属层，并停止于所述扩散阻挡层；执行第二化学机械研磨以去除所述沟槽外的扩散阻挡层，并停止于所述金属硬掩膜层；刻蚀去除所述金属硬掩膜层，以露出所述氧化物硬掩膜层；执行第三化学机械研磨以去除所述氧化物硬掩膜层，形成所述金属互连结构。本发明的形成金属互连结构的方法减小了最终研磨得到的晶圆表面的不同位置处的厚度差异。
一种形成金属互连结构方法

[发明专利]CMP终点检测方法与相变存储器底部接触结构形成方法-CN201110446097.5有效
发明人：朱普磊;蒋莉;黎铭琦;曹均助 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器底部接触结构的形成方法，包括：提供表面形成有至少两个导电插塞结构的晶片；在该晶片的表面依次淀积刻蚀终止层、第一介电层、第二金属层；光刻、刻蚀第二金属层、第一介电层与刻蚀终止层形成开口，该开口的两个相对的侧壁分别落在两个导电插塞上；淀积第一金属层；去除相邻导电插塞之间的第一金属层；淀积第二介电层，填充所述开口；依次研磨第二介电层、第一金属层、第二金属层形成相变存储器底部接触结构，所述研磨过程中，采用感应电流法检测研磨终点。本发明还提供一种化学机械研磨终点的检测方法，不限于相变存储器底部接触结构的制作。采用本发明的技术方案，对研磨终点的判断准确，且对硬件的要求低。
cmp 终点检测方法相变存储器底部接触结构形成

[发明专利]金属栅极形成方法-CN201110422106.7有效
发明人： 曹均助;蒋莉;黎铭琦;朱普磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属栅极形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一伪栅和第二伪栅；除去所述第二伪栅，形成第二沟槽，在所述第二沟槽侧壁、底部表面形成第二功能层和第二牺牲层；除去第一区域的第二牺牲层和第二功能层，暴露出所述第一伪栅；除去所述第一伪栅，形成第一沟槽，在所述第一沟槽侧壁、底部表面形成第一功能层和第一牺牲层；除去所述第一牺牲层和第二牺牲层，在所述第一功能层和第二功能层表面形成金属电极层，对所述金属电极层、第一功能层和第二功能层进行化学机械研磨工艺，形成第一金属栅极和第二金属栅极。由于只需要一次化学机械研磨工艺研磨金属电极层形成金属栅极，可有效地控制金属栅极的高度。
金属栅极形成方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN201110333222.1有效
发明人：朱普磊;陈枫;蒋莉;黎铭琦;曹均助 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供包含第一晶体管区和第二晶体管区的半导体衬底，第一晶体管区和第二晶体管区内分别形成有第一伪栅极和第二伪栅极，在半导体衬底上形成有覆盖第一伪栅极和第二伪栅极的盖帽层，且在第一伪栅极和第二伪栅极之间填充有层间介电层；去除第一晶体管区内的盖帽层的一部分以暴露第一伪栅极；去除第一伪栅极以形成第一填充开口；在层间介电层和盖帽层上以及第一填充开口内形成第一金属层；执行化学机械研磨工艺并停止在第二伪栅极上的盖帽层中。本发明的方法可以防止化学机械研磨过程中形成的浆状研磨残留物粘附在第二伪栅极表面，避免其成为后续工艺的缺陷源，阻碍后续形成第二金属栅极。
半导体器件制作方法

[发明专利]制作半导体器件的方法-CN201110333935.8有效
发明人：蒋莉;黎铭琦;朱普磊;曹均助 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅极和用于形成金属栅极的填充开口，所述半导体衬底上还形成有包围所述伪栅极和所述填充开口的层间介电层；在所述伪栅极和所述层间介电层上以及所述填充开口内形成金属层；执行化学机械研磨工艺去除所述填充开口以外的所述金属层，以形成所述金属栅极；以及使用有机碱性溶液执行清洗工艺以去除所述伪栅极表面的研磨残留物。通过在执行化学机械研磨工艺以形成金属栅极之后，采用有机碱性溶液对半导体器件表面进行清洗可以有效去除粘附在伪栅极表面的研磨残留物，进而避免这些研磨残留物成为后续工艺的缺陷源，并避免阻碍后续工艺去除伪栅极。
制作半导体器件方法

[发明专利]制作半导体器件的方法-CN201110335030.4无效
发明人：蒋莉;黎铭琦;朱普磊;曹均助 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：a）提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有用于形成N型金属栅极的第一伪栅极和用于形成P型金属栅极的第二伪栅极，半导体衬底上还形成有包围第一伪栅极和第二伪栅极的层间介电层；b）去除第一伪栅极和第二伪栅极中的一个以形成第一填充开口，并在第一填充开口内形成第一金属栅极；c）在第一金属栅极上形成保护层；d）去除第一伪栅极和第二伪栅极中的另一个以形成第二填充开口；以及e）在第二填充开口内形成第二金属栅极，并去除保护层。本发明的方法通过在先形成的金属栅极表面形成保护层来保护该金属栅极在后续的刻蚀工艺和清洗工艺中免受损伤，因此可以有效地避免半导体器件失效。
制作半导体器件方法

[发明专利]混合物配置容器、配置系统及配置方法-CN201110198662.0有效
发明人：陈枫;曹均助 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： B01F9/02 文献下载
摘要：本发明涉及混合物配置容器、配置系统及配置方法，所述混合物配置容器包括容器体和盛装袋，所述盛装袋置于所述容器体内；所述容器体包括本体、第一端盖和第二端盖；所述第一端盖和第二端盖分别设置在所述本体的两端，且均与所述本体密封连接；所述本体的外侧壁上设有第一环形凹槽、第二环形凹槽和环形齿轮条，所述环形齿轮条位于所述第一环形凹槽与第二环形凹槽之间；待配置混合物的各个组份分别密封盛装在各自的盛装袋内，且各个组份的份量均满足待配置混合物的配置比例要求。
混合物配置容器系统方法

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