[发明专利]基于衬底偏压技术的硅基功率器件结构无效
| 申请号： | 201110241746.8 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102412297A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 李琦;左园 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域。基于衬底偏压技术的硅基功率器件是通过导电类型相反的复合衬底结构形成反向偏置的PN结，衬底电场调制体内电场分布，降低纵向电场峰值，而且使器件纵向由常规功率器件的承担全部阻断电压变为仅承担阻断电压的一部分，二者使得器件耐压提高，改善功率器件在导通电阻和击穿电压间的折中关系。利用本发明提供的硅基衬底偏压技术，可灵活结合多种表面终端技术设计器件结构。利用本发明可制作各类性能优良高耐压器件，例如横向双扩散场效应晶体管、PN二极管和横向绝缘栅双极型功率晶体管等功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 偏压 技术 功率 器件 结构 | ||
【主权项】：
基于衬底偏压技术的硅基功率器件结构，包括有源层(4)，外延层(8)，衬底电极(9)和衬底层(11)，其特征是，所述外延层(8)一侧与有源层(4)相连，另一侧与衬底层(11)相连；有源层(4)位于外延层(8)的上方，衬底电极区(13)与衬底层(11)相连。
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