[发明专利]等离子体刻蚀设备及刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811061619.8 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110896019A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 卫晶;韦刚;杨京 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体刻蚀设备，所述等离子体刻蚀设备包括等离子体发生装置、用于承载晶片基座和用于为基座供电的偏压电源，其中，所述偏压电源能够周期性地输出电压，所述偏压电源的每个输出周期都包括正偏压输出阶段和负偏压输出阶段，所述偏压电源能够在所述正偏压阶段输出电压值恒定的正偏压，所述偏压电源能够在所述负偏压阶段输出电压值恒定的负偏压。所示等离子体刻蚀设备可以提供刻蚀选择比较高的等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】：
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